【IRFD120 IRFD120PBF DIP4 N通道功率MOSFET 全新原装现货】价格_批发_厂家_参数_图片_场效应管

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IRFD120 IRFD120PBF DIP4 N通道功率MOSFET 全新原装现货

¥1.99

10-49个

¥1.49

50-199个

¥1.39

≥200个

产品规格

可售数量： 8700个

深圳市铭顺信电子有限公司

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19年

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广东深圳

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图文详情

产品属性

Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	2,500
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	100V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	1.3A
Rds（最大）@ ID，VGS	270 mOhm @ 780mA, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	16nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	360pF @ 25V
功率 - 最大	1.3W
安装类型	Through Hole
包/盒	4-DIP (0.300, 7.62mm)
供应商器件封装	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
包装材料	Tube
包装	4HVMDIP
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	100 V
最大连续漏极电流	1.3 A
RDS -于	270@10V mOhm
最大门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	6.8 ns
典型上升时间	27 ns
典型关闭延迟时间	18 ns
典型下降时间	17 ns
工作温度	-55 to 175 °C
安装	Through Hole
标准包装	Bulk
标准包装	Rail / Tube
最大门源电压	±20
欧盟RoHS指令	Compliant
最高工作温度	175
最低工作温度	-55
包装高度	3.37(Max)
最大功率耗散	1300
渠道类型	N
最大漏源电阻	270@10V
最大漏源电压	100
每个芯片的元件数	1
包装宽度	6.29(Max)
供应商封装形式	HVMDIP
包装长度	5(Max)
PCB	4
最大连续漏极电流	1.3
引脚数	4
铅形状	Through Hole
单位包	100
最小起订量	2500
FET特点	Standard
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	1.3A (Ta)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	4V @ 250µA
供应商设备封装	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
其他名称	*IRFD120PBF
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	270 mOhm @ 780mA, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	1.3W
漏极至源极电压（Vdss）	100V
输入电容（Ciss ） @ VDS	360pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	16nC @ 10V
封装/外壳	4-DIP (0.300", 7.62mm)
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
类别	Power MOSFET
配置	Dual Drain, Single
外形尺寸	5 x 6.29 x 3.37mm
身高	3.37mm
长度	5mm
最大漏源电阻	0.27 Ω
最高工作温度	+175 °C
最大功率耗散	1.3 W
最低工作温度	-55 °C
包装类型	HexDIP, HVMDIP
典型栅极电荷@ VGS	16 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS	360 pF V @ 25
宽度	6.29mm
漏极电流（最大值）	1.3 A
频率（最大）	Not Required MHz
栅源电压（最大值）	�20 V
输出功率（最大）	Not Required W
功率耗散	1.3 W
噪声系数	Not Required dB
漏源导通电阻	0.27 ohm
工作温度范围	-55C to 175C
极性	N
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
漏极效率	Not Required %
漏源导通电压	100 V
功率增益	Not Required dB
弧度硬化	No
连续漏极电流	1.3 A
删除	Compliant
晶体管极性	:N Channel
Continuous Drain Current Id	:1.3A
Drain Source Voltage Vds	:100V
On Resistance Rds(on)	:270mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs	:10V
Threshold Voltage Vgs	:4V
功耗	:1.3W
Operating Temperature Min	:-55°C
Operating Temperature Max	:175°C
Transistor Case Style	:DIP
No. of Pins	:4
MSL	:-
Current Id Max	:1.3A
Current Temperature	:25°C
Device Marking	:IRFD120PBF
Full Power Rating Temperature	:25°C
Junction Temperature Tj Max	:150°C
Junction Temperature Tj Min	:-55°C
引线间距	:2.54mm
No. of Transistors	:1
工作温度范围	:-55°C to +175°C
Pulse Current Idm	:10.4A
Row Pitch	:7.62mm
Voltage Vds Typ	:100V
Voltage Vgs Max	:20V
Voltage Vgs Rds on Measurement	:10V
Weight (kg)	0.000255