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产品规格
可售数量: 8800个
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 6.73mm |
| 典型输入电容值@Vds | 3070 pF @ 50 V |
| 系列 | HEXFET |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 2.39mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 9 mΩ |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 140 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 7.49mm |
| 尺寸 | 6.73 x 7.49 x 2.39mm |
| 正向二极管电压 | 1.3V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大漏源电压 | 75 V |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns |
| 典型关断延迟时间 | 43 ns |
| 封装类型 | DPAK |
| 最大连续漏极电流 | 80 A |
| 引脚数目 | 3+Tab |
| 正向跨导 | 115S |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 7.34 mOhms |
| Packaging | Reel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 75 V |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Qg - Gate Charge | 56 nC |
| Factory Pack Quantity | 2000 |
| Brand | Infineon / IR |
| Pd - Power Dissipation | 140 W |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Height | 2.3 mm |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Length | 6.5 mm |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 80 A |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Technology | Si |
| RoHS | RoHS Compliant |
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18988776985
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0755-82579959
长期原装现货 IRFR3607TRPBF FR3607 TO252贴片场效应管
¥ 2.49 ~ ¥ 2.99
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8800个可售
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