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FDMS86500L出售原装N沟道贴片MOSFET深圳现货支持BOM表配单

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产品规格

封装: QFN

批号: 19+

深圳市铭顺信电子有限公司

19年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

综合评分

图文详情
产品属性
RohsLead free / RoHS Compliant
标准包装3,000
FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS)60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C25A
Rds(最大)@ ID,VGS2.5 mOhm @ 25A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS165nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的12530pF @ 30V
功率 - 最大2.5W
安装类型Surface Mount
包/盒8-TDFN Exposed Pad
供应商器件封装8-PQFN (5X6), Power56
包装材料Tape & Reel (TR)
包装8Power 56
通道模式Enhancement
最大漏源电压60 V
最大连续漏极电流25 A
RDS -于2.5@10V mOhm
最大门源电压±20 V
典型导通延迟时间27 ns
典型上升时间16 ns
典型关闭延迟时间63 ns
典型下降时间7.8 ns
工作温度-55 to 150 °C
安装Surface Mount
标准包装Tape & Reel
最大门源电压±20
欧盟RoHS指令Compliant
最高工作温度150
标准包装名称Power 56
最低工作温度-55
渠道类型N
封装Tape and Reel
最大漏源电阻2.5@10V
最大漏源电压60
每个芯片的元件数1
供应商封装形式Power 56
最大功率耗散2500
最大连续漏极电流25
引脚数8
FET特点Logic Level Gate
安装类型Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C25A (Ta), 80A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id3V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss)60V
供应商设备封装8-PQFN (5X6), Power56
开态Rds(最大)@ Id ,V GS2.5 mOhm @ 25A, 10V
FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大2.5W
输入电容(Ciss ) @ VDS12530pF @ 30V
其他名称FDMS86500L-ND
闸电荷(Qg ) @ VGS165nC @ 10V
封装/外壳8-TDFN Exposed Pad
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
类别Power MOSFET
配置Quad Drain, Triple Source
外形尺寸5 x 6 x 1.05mm
身高1.05mm
长度5mm
最大漏源电阻3.7 mΩ
最高工作温度+150 °C
最大功率耗散104 W
最低工作温度-55 °C
包装类型Power 56
典型栅极电荷@ VGS117 nC V @ 0 → 10
典型输入电容@ VDS9420 pF V @ 30
宽度6mm
工厂包装数量3000
晶体管极性N-Channel
连续漏极电流25 A
系列FDMS86500L
封装/外壳Power 56
单位重量0.003175 oz
RDS(ON)2.5 mOhms
功率耗散104 W
安装风格SMD/SMT
正向跨导 - 闵95 S
漏源击穿电压60 V
RoHSRoHS Compliant
栅源电压(最大值)�20 V
工作温度范围-55C to 150C
极性N
类型Power MOSFET
元件数1
工作温度分类Military
漏源导通电压60 V
弧度硬化No
Continuous Drain Current Id:80A
Drain Source Voltage Vds:60V
On Resistance Rds(on):0.0021ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
Threshold Voltage Vgs:1.8V
功耗:104W
Operating Temperature Min:-55°C
Operating Temperature Max:150°C
Transistor Case Style:Power 56
No. of Pins:8
MSL:MSL 1 - Unlimited
SVHC:No SVHC (16-Dec-2013)
工作温度范围:-55°C to +150°C
Weight (kg)0.003


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FDMS86500L出售原装N沟道贴片MOSFET深圳现货支持BOM表配单

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