【FDP3632 TO-220 N沟道场效应管实物拍摄深圳现货】价格_批发_厂家_参数_图片_场效应管

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FDP3632 TO-220 N沟道场效应管实物拍摄深圳现货

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产品规格

可售数量： 6800个

深圳市铭顺信电子有限公司

采通通 8 年资质认证实名企业

19年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

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图文详情

产品属性

标准包装	400
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	100V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	80A
Rds（最大）@ ID，VGS	9 mOhm @ 80A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	110nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	6000pF @ 25V
功率 - 最大	310W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220AB
包装材料	Tube
包装	3TO-220AB
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	100 V
最大连续漏极电流	12 A
RDS -于	9@10V mOhm
最大门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	30 ns
典型上升时间	39 ns
典型关闭延迟时间	96 ns
典型下降时间	46 ns
工作温度	-55 to 175 °C
安装	Through Hole
标准包装	Rail / Tube
最大门源电压	±20
欧盟RoHS指令	Compliant
最高工作温度	175
标准包装名称	TO-220
最低工作温度	-55
渠道类型	N
封装	Tube
最大漏源电阻	9@10V
最大漏源电压	100
每个芯片的元件数	1
供应商封装形式	TO-220AB
最大功率耗散	310000
最大连续漏极电流	12
引脚数	3
铅形状	Through Hole
FET特点	Standard
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	12A (Ta), 80A (Tc)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	4V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	100V
供应商设备封装	TO-220AB
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	9 mOhm @ 80A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	310W
输入电容（Ciss ） @ VDS	6000pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	110nC @ 10V
封装/外壳	TO-220-3
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
类别	Power MOSFET
配置	Single
外形尺寸	10.67 x 4.83 x 9.4mm
身高	9.4mm
长度	10.67mm
最大漏源电阻	0.009 Ω
最高工作温度	+175 °C
最大功率耗散	310 W
最低工作温度	-55 °C
包装类型	TO-220AB
典型栅极电荷@ VGS	84 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS	6000 pF V @ 25
宽度	4.83mm
工厂包装数量	400
晶体管极性	N-Channel
连续漏极电流	80 A
封装/外壳	TO-220-3
零件号别名	FDP3632_NL
下降时间	46 ns
产品种类	MOSFET
单位重量	0.063493 oz
RoHS	RoHS Compliant
源极击穿电压	+/- 20 V
系列	FDP
RDS（ON）	7.5 mOhms
安装风格	Through Hole
功率耗散	310 W
上升时间	39 ns
漏源击穿电压	100 V
漏极电流（最大值）	12 A
频率（最大）	Not Required MHz
栅源电压（最大值）	�20 V
输出功率（最大）	Not Required W
噪声系数	Not Required dB
漏源导通电阻	0.009 ohm
工作温度范围	-55C to 175C
极性	N
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
漏极效率	Not Required %
漏源导通电压	100 V
功率增益	Not Required dB
弧度硬化	No