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FDMS86200 出售原装 N沟道MOSFET 深圳现货 支持BOM表配单

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产品规格

封装: Power-56

深圳市铭顺信电子有限公司

19年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

综合评分

图文详情
产品属性
标准包装3,000
FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS)150V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C9.6A
Rds(最大)@ ID,VGS18 mOhm @ 9.6A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS46nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的2715pF @ 75V
功率 - 最大2.5W
安装类型Surface Mount
包/盒8-PQFN, Power56
供应商器件封装Power56
包装材料Tape & Reel (TR)
包装8Power 56
通道模式Enhancement
最大漏源电压150 V
最大连续漏极电流9.6 A
RDS -于18@10V mOhm
最大门源电压±20 V
典型导通延迟时间13 ns
典型上升时间7.9 ns
典型关闭延迟时间27 ns
典型下降时间5.8 ns
工作温度-55 to 150 °C
安装Surface Mount
标准包装Cut Tape
FET特点Logic Level Gate
封装Tape & Reel (TR)
安装类型Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C9.6A (Ta), 35A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id4V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss)150V
供应商设备封装Power56
开态Rds(最大)@ Id ,V GS18 mOhm @ 9.6A, 10V
FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大2.5W
输入电容(Ciss ) @ VDS2715pF @ 75V
其他名称FDMS86200TR
闸电荷(Qg ) @ VGS46nC @ 10V
封装/外壳8-PQFN, Power56
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
类别Power MOSFET
渠道类型N
配置Quad Drain, Single, Triple Source
外形尺寸5 x 6 x 1.05mm
身高1.05mm
长度5mm
最大漏源电阻21 mΩ
最高工作温度+150 °C
最大功率耗散104 W
最低工作温度-55 °C
每个芯片的元件数1
包装类型Power 56
引脚数8
典型栅极电荷@ VGS33 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS2041 pF V @ 75
宽度6mm
连续漏极电流9.6 A
栅源电压(最大值)�20 V
功率耗散2.5 W
工作温度范围-55C to 150C
极性N
类型Power MOSFET
元件数1
工作温度分类Military
漏源导通电压150 V
弧度硬化No
晶体管极性:N Channel
Continuous Drain Current Id:49A
Drain Source Voltage Vds:150V
On Resistance Rds(on):0.015ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
Threshold Voltage Vgs:2.5V
功耗:104W
Operating Temperature Min:-55°C
Operating Temperature Max:150°C
Transistor Case Style:Power 56
No. of Pins:8
MSL:MSL 1 - Unlimited
SVHC:No SVHC (16-Dec-2013)
工作温度范围:-55°C to +150°C

电子元器件专业配套 配套范围内:

集成电路 IC芯片 二三极管 光耦 继电器 电源模块 IGBT 可控硅 

另外电容电阻(支持拆样)开关插座 端子排针 蜂鸣器 LED 数码管 电位器等全系列元件! 


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有时元器件厂商价格稍许变动,本公司未能及时调整,如您觉得价格偏高请与我们说明议价,我们会根据市场情况给您相应的优惠,同时利用我司销售多年电子元件的经验,为您解决假货、价高、种类多等一系列问题!为客户提供100%正品货源,及优势价格是我们的职责!感谢支持!



源自:深圳市铭顺信电子有限公司


官网:www.msxic.cn


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电话:0755-82579485 廖先生


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FDMS86200 出售原装 N沟道MOSFET 深圳现货 支持BOM表配单

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