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FCP9N60N 出售原装 N沟道场效应管TO220 深圳现货供应

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深圳市铭顺信电子有限公司

19年

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广东深圳

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产品属性
标准包装400
FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点Standard
漏极至源极电压(VDSS)600V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C9A
Rds(最大)@ ID,VGS385 mOhm @ 4.5A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS29nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的1240pF @ 100V
功率 - 最大88.3W
安装类型Through Hole
包/盒TO-220-3
供应商器件封装TO-220
包装材料Tube
包装3TO-220AB
通道模式Enhancement
最大漏源电压600 V
最大连续漏极电流9 A
RDS -于385@10V mOhm
最大门源电压±30 V
典型导通延迟时间12.7 ns
典型上升时间8.7 ns
典型关闭延迟时间36.9 ns
典型下降时间10.2 ns
工作温度-55 to 150 °C
安装Through Hole
标准包装Rail / Tube
最大门源电压±30
包装宽度4.83(Max)
PCB3
最大功率耗散83300
最大漏源电压600
欧盟RoHS指令Compliant
最大漏源电阻385@10V
每个芯片的元件数1
最低工作温度-55
供应商封装形式TO-220AB
标准包装名称TO-220
最高工作温度150
渠道类型N
包装长度10.67(Max)
引脚数3
包装高度9.4(Max)
最大连续漏极电流9
封装Rail
标签Tab
铅形状Through Hole
FET特点Standard
安装类型Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C9A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id4V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss)600V
供应商设备封装TO-220
开态Rds(最大)@ Id ,V GS385 mOhm @ 4.5A, 10V
FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大88.3W
封装/外壳TO-220-3
输入电容(Ciss ) @ VDS1240pF @ 100V
闸电荷(Qg ) @ VGS29nC @ 10V
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
类别Power MOSFET
配置Single
外形尺寸10.67 x 4.83 x 9.4mm
身高9.4mm
长度10.67mm
最大漏源电阻0.385 Ω
最高工作温度+150 °C
最大功率耗散83.3 W
最低工作温度-55 °C
包装类型TO-220
典型栅极电荷@ VGS22 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS930 pF V @ 100
宽度4.83mm
工厂包装数量400
产品种类MOSFET
晶体管极性N-Channel
连续漏极电流5.7 A
正向跨导 - 闵7.5 S
单位重量0.063493 oz
RDS(ON)330 mOhms
功率耗散83.3 W
系列FCP9N60N
上升时间8.7 ns
漏源击穿电压600 V
RoHSRoHS Compliant
下降时间10.2 ns
Continuous Drain Current Id:9A
Drain Source Voltage Vds:600V
On Resistance Rds(on):0.33ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
Threshold Voltage Vgs:2V
功耗:83.3W
Operating Temperature Min:-55°C
Operating Temperature Max:150°C
Transistor Case Style:TO-220
No. of Pins:3
MSL:MSL 1 - Unlimited
SVHC:No SVHC (16-Dec-2013)
工作温度范围:-55°C to +150°C
Pulse Current Idm:27A

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FCP9N60N 出售原装 N沟道场效应管TO220 深圳现货供应

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