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FQD2N60CTM 出售原装 N沟道MOSFET 深圳现货供应

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可售数量: 5000个

深圳市铭顺信电子有限公司

19年

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广东深圳

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产品属性
标准包装2,500
FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点Standard
漏极至源极电压(VDSS)600V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C1.9A
Rds(最大)@ ID,VGS4.7 Ohm @ 950mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS12nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的235pF @ 25V
功率 - 最大2.5W
安装类型Surface Mount
包/盒TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装TO-252-3
包装材料Tape & Reel (TR)

FQD2N60CTM【出售原装】N沟道MOSFET 深圳现货供应示例图2FQD2N60CTM【出售原装】N沟道MOSFET 深圳现货供应示例图3




FQD2N60CTM【出售原装】N沟道MOSFET 深圳现货供应示例图4
 

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