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直插件 原装正品 晶体三极管 现货供应 IRFZ10

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¥3.00

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¥2.80

100-299PCS

¥2.50

≥300PCS

产品规格

封装形式: TO-220

深圳市铭顺信电子有限公司

19年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

综合评分

图文详情
产品属性
标准包装1,000
FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点Standard
漏极至源极电压(VDSS)60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C10A
Rds(最大)@ ID,VGS200 mOhm @ 6A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS11nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的300pF @ 25V
功率 - 最大43W
安装类型Through Hole
包/盒TO-220-3
供应商器件封装TO-220AB
包装材料Tube;;其他的名称;
包装3TO-220AB
通道模式Enhancement
最大漏源电压60 V
最大连续漏极电流10 A
RDS -于200@10V mOhm
最大门源电压±20 V
典型导通延迟时间10 ns
典型上升时间50 ns
典型关闭延迟时间13 ns
典型下降时间19 ns
工作温度-55 to 175 °C
安装Through Hole
标准包装Bulk
最大门源电压±20
包装宽度4.7(Max)
PCB3
最大功率耗散43000
最大漏源电压60
欧盟RoHS指令Not Compliant
最大漏源电阻200@10V
每个芯片的元件数1
最低工作温度-55
供应商封装形式TO-220AB
标准包装名称TO-220
最高工作温度175
渠道类型N
包装长度10.41(Max)
引脚数3
包装高度9.01(Max)
最大连续漏极电流10
标签Tab
铅形状Through Hole
单位包0
最小起订量1
FET特点Standard
封装Tube
安装类型Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C10A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id4V @ 250µA
封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装TO-220AB
其他名称*IRFZ10
开态Rds(最大)@ Id ,V GS200 mOhm @ 6A, 10V
FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大43W
漏极至源极电压(Vdss)60V
输入电容(Ciss ) @ VDS300pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS11nC @ 10V
RoHS指令Contains lead / RoHS non-compliant
工厂包装数量1000
产品种类MOSFET
晶体管极性N-Channel
配置Single
源极击穿电压+/- 20 V
连续漏极电流10 A
安装风格Through Hole
RDS(ON)200 mOhms
功率耗散43 W
最低工作温度- 55 C
上升时间50 ns
最高工作温度+ 175 C
漏源击穿电压60 V
RoHSNo RoHS Version Available
下降时间19 ns



直插件@原装晶体三极管 @~现货IRFZ10示例图4
 

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直插件 原装正品 晶体三极管 现货供应 IRFZ10

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