- 产品
- 详情
- 推荐
收藏
¥0.50
1-99个
¥0.30
100-999个
¥0.10
≥1000个
产品规格
封装: TO252
批号: 新年份
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 12 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 46µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 49nC @ 10V
Vgs（最大值） ±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3170pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 94W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TO252-3-313
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
-
18902849330
-
0755-82566826
IPD60N10S4L-12 ipd60n10s4l-12集成电路 ipd60n10s4-12场效应管
¥ 0.10 ~ ¥ 0.50
- TO252
- 新年份
-
¥0.10
50000个可售
询价单发送成功～