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产品规格
封装: TO-263
批号: 新年份
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 150 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 67nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1160pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 150W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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18902849330
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0755-82566826
IRF640NS IRF640NSTRLPBF irf640nstrlpbf编带 irf640nstrlpbf剪切卷带
¥ 0.10 ~ ¥ 0.50
- TO-263
- 新年份
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¥0.10
24865个可售
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