【磷化铟InP单晶片、磷化铟衬底、砷化铟衬底、锑化铟衬底半导体材料厂家金源供应回收单晶材料】价格_批发_厂家_参数_图片_铟

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磷化铟InP单晶片、磷化铟衬底、砷化铟衬底、锑化铟衬底半导体材料厂家金源供应回收单晶材料

¥1800.00

1-99千克

¥1000.00

≥100千克

产品规格

可售数量： 10000千克

韶关市金源金属材料有限公司

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7年

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广东韶关

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供应磷化铟InP单晶片、磷化铟衬底、砷化铟衬底、锑化铟衬底半导体材料厂家金源供应回收单晶材料

韶关市金源金属材料有限公司专业有色金属、稀有金属、小金属、特色合金、贵金属、等供应商。为解决小量够买金属的难题，特推出在线交易模式。方便各地买家。

名称: 磷化铟InP单晶片

规格：可以做到2英寸、3英寸，正常晶向为<100>、<111>，特殊晶向也可以加工。

磷化铟（InP）是一种重要的化合物半导体材料，具有电子极移速度高、耐辐射性

好、导热好的优点。

适用于制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路。在固态发光、微波通信、光纤通

信、太阳能电池、制导/导航、卫星等民用和军事等领域的应用十分广阔。

InP单晶参数

品种	类型	浓度（cm^-3）	迁移率(cm²/V.S)	电阻率(Ω.cm)	位错密度(cm^-2)
Un-InP	------	<3*10¹⁶	>1700	----	<1000
S-InP	N	5*10¹⁷18	>1700	-----	<1000
Zn-InP	P	0.6*10¹⁸18	>50	------	<1000
Fe-InP	N	10⁷~10⁸	>1700	>10⁷	<1000

砷化铟（InAs）III-V族化合物半导体材料，闪锌矿型的晶体结构，能带结构为直接跃迁，禁带宽度(300K)0.45eV。
InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70)，低的磁阻效应和小的电阻温度系数，是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。InAs的发射波长3.34μm，在InAs衬底上能生长晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。

名称：InAs wafer （砷化铟）单晶片

规格：2英寸、3英寸，正常晶向为<100>、<111>，特殊晶向也可以加工。

InAs wafer 单晶参数

品种	类型	浓度（cm^-3）	迁移率 (cm²/V.s)	位错密度 (cm^-2)
Un-InAs	N	3*10¹⁶	2*10⁴	< 1000
S-InAs	N	(3-80) *10¹⁷	----	< 1000
Zn-InAs	P	(3-80) *10¹⁷	60-300	< 1000

2" 和3" InSb wafer 锑化铟单晶片。

规格 size		2 inch	3 inch
晶向 Direction		（100）±0.3
直径Diameter（mm）		50.8±0.4	76.2±0.3
厚度Thickness（μm）		500±25	650±25
主定位边长度First Flat（mm）		16.0±1.0	22.0±1.0
副定位边长度second Flat（mm）		8.0±1.0	11.0±1.0
平整度	TTV（μm）	＜10	＜10
	TIR（μm）	＜10	＜10
	Bow（μm）	＜10	＜10
	Warp（μm）囖	＜15	＜15

麤97 9囖迁移率(cm²/V▪s)

品种 Dopant	Un-InSb	Te- InSb 麤34 42囖
导电类型麤 Type	N	N
载流子浓度（cm^-3）	(5～10)×10¹³	(1～1000)×10¹⁴
阻率(Ω▪cm)	─	─
5E04-2E05	2E04-1E05
位错密度(cm^-2)	2"：≤200	2"：≤200
位错密度(cm^-2)	3"：≤500	3"：≤500