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产品规格
可售数量： 200件
2330 锗(Ge)靶材 磁控溅射靶材 电子束镀膜蒸发料
【参数说明】
支持靶材定制，请提供靶材产品的元素、比例（重量比或原子比）、规格，我们会尽快为您报价！！
【产品介绍】
锗是银白色类金属(粉末状呈暗蓝色)，位于元素周期表第四周期Ⅳ族，原子序数32，原子量72.64，熔点937.4℃，沸点2830℃，密度5.35g/cm³，莫氏硬度6.0～6.5。室温下，晶态锗性脆，可塑性很小。锗具有半导体性质，在高纯锗中掺入三价元素(如铟、镓、硼)、得到P型锗半导体；掺入五价元素(如锑、砷、磷)，得到N型锗半导体。化合价主要为+2和+4。锗有着良好的半导体性质，如高电子迁移率和高空穴迁移率等。 晶胞为面心立方晶胞，每个晶胞含有四个金属原子。据X射线证明，锗晶体里的原子排列与金刚石差不多。结构决定性能，所以锗与金刚石一样硬而且脆。在自然中，锗共有五种同位素，原子量在70至76之间。它能形成许多不同的有机金属化合物，例如四乙基锗及异丁基锗烷。
【关于我们】
服务项目：靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位 ，质量保证，售后无忧！
产品附件：发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装
适用仪器：多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备
质量控制：严格控制生产工艺，采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段，分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度；可提供质检报告。
加工流程：熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库
陶瓷化合物靶材本身质脆且导热性差，连续长时间溅射易发生靶裂情况，绑定背靶后，可提高化合物靶材的导热性能，提高靶材的使用寿命。我们强烈建议您，选购陶瓷化合物靶材一定要绑定铜背靶！
我公司采用高纯铟作为焊料，铟焊厚度约为0.2mm，高纯无氧铜作为背靶。
注 ：高纯铟的熔点约为156℃，靶材工作温度超过熔点会导致铟熔化！绑定背靶不影响靶材的正常使用！
建议：陶瓷脆性靶材、烧结靶材，高功率下溅射易碎，建议溅射功率不超过3W/cm2。
我公司主营金属靶材、陶瓷靶材、合金靶材，欢迎您的垂询。
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京迈研2330金属锗靶材(Ge) 磁控溅射靶材 电子束镀膜蒸发料
¥ 500.00 ~ ¥ 600.00
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