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产品规格
封装: SOP
批号: 新年份
NE555DR NE555 SOP8贴片 双时基电路芯片 全新现货
MMBT5401LT1,3 | |
| 文档 | Copper Wire 19/May/2010 |
| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 产品更改通知 | Copper Wire Change 19/May/2010 |
| 标准包装 | 10 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 150V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 500mV @ 5mA, 50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 50nA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 60 @ 10mA, 5V |
| 功率 - 最大 | 225mW |
| 频率转换 | 300MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 包装材料 | Cut Tape (CT) |
| 集电极最大直流电流 | 0.5 |
| 最小直流电流增益 | 50@1mA@5V|60@10mA@5V|50@50mA@5V |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 300 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| Maximum Transition Frequency | 300 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 160 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 最大集电极发射极电压 | 150 |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 300MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 500mV @ 5mA, 50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 50nA |
| 标准包装 | 10 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 150V |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 功率 - 最大 | 225mW |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 60 @ 10mA, 5V |
| 其他名称 | MMBT5401LT1OSCT |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
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18902849330
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0755-82566826
NE555DR NE555 SOP8贴片 双时基电路芯片 全新现货
¥ 0.25
- SOP
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