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产品规格
封装: SOP
批号: 新年份
NE555DR NE555 SOP8贴片 双时基电路芯片 全新现货
MMBT5401LT1,3 | |
文档 | Copper Wire 19/May/2010 |
Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
产品更改通知 | Copper Wire Change 19/May/2010 |
标准包装 | 10 |
晶体管类型 | PNP |
- 集电极电流(Ic)( ) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿( ) | 150V |
Vce饱和( )@ IB,IC | 500mV @ 5mA, 50mA |
电流 - 集电极截止( ) | 50nA |
直流电流增益(HFE)( 小值)@ IC,VCE | 60 @ 10mA, 5V |
功率 - | 225mW |
频率转换 | 300MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
包装材料 | Cut Tape (CT) |
集电极 直流电流 | 0.5 |
小直流电流增益 | 50@1mA@5V|60@10mA@5V|50@50mA@5V |
高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | SOT-23 |
低工作温度 | -55 |
功率耗散 | 300 |
基地发射极电压 | 5 |
Maximum Transition Frequency | 300 |
封装 | Tape and Reel |
每个芯片的元件数 | 1 |
集电极基极电压 | 160 |
供应商封装形式 | SOT-23 |
集电极发射极电压 | 150 |
类型 | PNP |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Gull-wing |
电流 - 集电极( Ic)( ) | 100mA |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 300MHz |
下的Vce饱和度( ) Ib,Ic条件 | 500mV @ 5mA, 50mA |
电流 - 集电极截止( ) | 50nA |
标准包装 | 10 |
电压 - 集电极发射极击穿( ) | 150V |
供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
功率 - | 225mW |
封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
直流电流增益( hFE)( 小值) Ic,Vce时 | 60 @ 10mA, 5V |
其他名称 | MMBT5401LT1OSCT |
RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
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18902849330
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0755-82566826
NE555DR NE555 SOP8贴片 双时基电路芯片 全新现货
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