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产品规格
可售数量： 4500千克
供应高纯贵金属黄金及金基合金溅射靶材Glod(Au)Targets科研及工业材料
产品名称： | 金及金基合金溅射靶材 |
牌号规格： | Au01、Au1、AuGe12、AuGeNi11.5-5、AuGeNi12-4 |
用途备注： | 金、金锗、金锗镍等溅射靶材通过磁控溅射工艺沉积在半导体芯片如GaAs、GaP、GaN等表面，形成欧姆接触膜、电极和连线膜。可形成多种金属化膜系统。 |
产 品 详 情
高纯金及合金是制造半导体芯片的关键基础材料。使用金靶材将金膜沉积在半导体芯片表面，形成欧姆接触膜、电极和连线膜，可形成多种金属化膜系统。该金属氧化膜系统可大量应用于制造发光二极管（LED）， OLED
民用微波通信器件等重要领域用半导体化合物以及芯片酞阳能电池等领域。
化学成分
序号 | 合 号 | 主成分 | |||||||||
Au | Ge | Ni | Ga | Be | |||||||
1 | Au1 | 99.99 | |||||||||
2 | Au01 | 99.999 | |||||||||
3 | Au88Ge | 88±0.5 | 余量 | ||||||||
4 | Au83.5GeNi | 83.5±0.5 | 余量 | 5±0.4 | |||||||
备注：可按客户要求提供其它成分的产品。 | |||||||||||
外形尺寸(mm) | |||||||||||
合 号 | 形状 | 规格 | 允许偏差 | 厚度 | 允许偏差 | ||||||
Au1、Au01 | 圆形 | 100-250 | ±0.1 | 36 | ±0.2 | ||||||
方形 | 127×381 | ±1 | 36 | ±0.2 | |||||||
AuGe12、Au83.5GeNi、 | 圆形 | 100-250 | ±0.3 | 6 | ±0.5 | ||||||
方形 | 127×381 | ±1 | 6 | ±0.5 | |||||||
备注：可供其它规格和允许偏差的产品。 | |||||||||||
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13564135680
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