IPM，即智能功率模块，是先进的混合集成功率器件。一般使用IGBT作为功率开关元件，内部集成电流传感器及驱动电路的集成结构。

IPM模块需要测试的特性参数很多，其中最关键的测试参数为开关特性（时间特性）的测量。该系统在解决IPM的控制信号以及高速数据采集处理两个关键技术的条件下，是一套基于DSP及FPGA的高速实时测试系统。

电压

电流

标配

选配

标配

选配

1200V

1000V

200A

200A

2200V

400A

3300V

600A

4500V

1000A

6000V

2000A

配置/短路测试

电压

电流

短路测试

标配

选配

标配

选配

项目

范围

误差

分辨率

1200V

2200V

200A

400A

VPN

100V1200V

±3

10V

3300V

600A

测试电流

10A75A

±3

1A

4500V

1000A

短路电流

100A500A

±3

1A

6000V

2000A

短路时间

1 uS10uS

可调

可调

测试功能

测试范围

测试参数

IPM

BVCES, BVRRM, BVSCES, ICES, IRRM, VCE(SAT), VEC, VFBR, VDSET, VDSET-HP, ID,

UVt, UVr, OUVt, OUVr, VCIN(ON), VCIN(OFF),

ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L), VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN,

OTc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, OVt, TMEAS, VMEAS

IGBT

ICES, BVCES, IGES, VF, VGEON, VTH, VTHS, ICE(SAT), VCE(SAT)

DIODE

VF-Temp, Temp, VF revision

参数 / 精度

静态参数

动态参数

上桥IGBT/FRD漏电流测试(I_ces-H)

上

桥

开

关

参

数

集电极电压Vce：

1001200V，

误差±3,分辨率10V

上桥IGBT/FRD耐压测试(Bvce-H)

上桥驱动IC低端静态电流测试(IDH)

集电极电流Ice：

1075A，

误差±3,分辨率1A

上桥驱动IC高端静态工作电流测试

（Iqbs-U,V,W）

VD=VBS=15V,           

误差±3,分辨率0.1V

上桥欠压保护监测电平 （UVbsd-U V W）

VIN=05V             

误差±3,分辨率0.1V   

上桥欠压保护复位电平（UVbsr-U V W）

ton-L : 10500nS,    

误差±3,分辨率1nS

上桥驱动IC导通阈值电压测试

（Vth（on）-UH VH WH）

tc（on）-L :5200ｎS,

误差±3,分辨率1nS    

toff-L: 50500ｎS,   

误差±3,分辨率1nS

上桥驱动IC关断阈值电压测试

（Vth（off）-UH VH WH）

tc(off)-L: 5200ｎS,

误差±3,分辨率1nS     

Trr-L :10500ｎS,    

误差±3,分辨率1nS

上桥IGBT饱和电压测试（Vce(sat)-UH VH WH）

Eon-L :0.110ｍＪ,   

误差±3,分辨率0.1mJ  

上桥FRD正向压降测试（VF-(UH VH WH)

Eoff-L： 0.110ｍＪ  

误差±3,分辨率0.1mJ

下桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-L)

下

桥

开

关

参

数

集电极电压Vce：

1001200V，

误差±3,分辨率10V

下桥驱动IC静态工作电流测试（IDL）

故障输出电压测试（Vfoh Vfol）

集电极电流Ice：

1075A，

误差±3,分辨率1A

过流保护阈值电压测试（Vcin（ref））

下桥欠压保护监测电平（UVdd）

VD=VBS=15V,           

误差±3,分辨率0.1V

下桥欠压保护复位电平（UVdr）

VIN=05V             

误差±3,分辨率0.1V   

下桥驱动IC导通阈值电压

（Vth（on）-UL VL WL）

ton-L : 10500nS,    

误差±3,分辨率1nS

tc（on）-L :5200ｎS,

误差±3,分辨率1nS    

下桥驱动IC关断阈值电压

（Vth（off）-UL VL WL）

toff-L: 50500ｎS,   

误差±3,分辨率1nS

tc(off)-L: 5200ｎS,

误差±3,分辨率1nS     

下桥IGBT饱和电压测试（Vce(sat)-UL VL WL）

Trr-L :10500ｎS,    

误差±3,分辨率1nS

下桥FRD正向压降测试（VF-(UL VL WL)

Eon-L :0.110ｍＪ,   

误差±3,分辨率0.1mJ  

Eoff-L： 0.110ｍＪ  

误差±3,分辨率0.1mJ