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三氧化二镓靶材
纯度:99.999
化学式:Ga2O3
分子量:187.44
CAS:12024-21-4
熔点:1740
三氧化二镓用作高纯分析、应于电子工业半导体的制备。
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13520577626
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010-51617358
高纯镓锭 氧化镓靶材 三氧化二镓靶材 镓合金靶材
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