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测试分析、器件选型 、筛选检验IGBT,可控硅,MOS测试仪

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可售数量: 100台

12年

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陕西西安

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3.9

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产品属性

EN-2005B功率器件综合测试系统

系统特征

测试范围广19总大类,27分类

升级扩展性强,通过选件可提升电压电流,和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V,1250A

采用脉冲测试法,脉冲宽度为美军标规定300uS

被测器件引脚接触自动判断功能,遇到器件接触不良时系统自动停止测试,确保被测器件不受损坏

真正的动态跨导测试。(主流的直流方法测动态跨导,其结果与器件实际偏差很大)

系统故障在线判断修复能力,便于应急处理排除故障

二极管极性自动判断功能,无需人工操作

测试参数

 

漏电参数:IR、 ICBO、 LCEO/S/X、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、 IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)

击穿参数:BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、 BVGKO

增益参数:hFE、CTR、gFS

导通参数:VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)、Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)

关断参数:VGSOFF

触发参数:IGT、VGT

保持参数:IH、IH+、IH-

锁定参数:IL、IL+、IL-

混合参数:rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation

间接参数:IL


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