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MJE15030 MJE15030G TO-220 150V实物拍摄 NPN晶体管 全新现货

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产品规格

封装形式: TO-220

深圳市铭顺信电子有限公司

19年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

综合评分

图文详情
产品属性
RohsLead free / RoHS Compliant
标准包装50
晶体管类型NPN
- 集电极电流(Ic)(最大)8A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)150V
Vce饱和(最大)@ IB,IC500mV @ 100mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大)100µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE20 @ 4A, 2V
功率 - 最大50W
频率转换30MHz
安装类型Through Hole
包/盒TO-220-3
供应商器件封装TO-220AB
包装材料Tube
包装3TO-220AB
类型NPN
引脚数3
最大集电极发射极电压150 V
集电极最大直流电流8 A
最小直流电流增益40@100mA@2V|40@2A@2V|40@3A@2V|20@4A@2V
最大工作频率30(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压0.5@0.1A@1A V
工作温度-65 to 150 °C
最大功率耗散50000 mW
安装Through Hole
标准包装Rail / Tube
集电极最大直流电流8
欧盟RoHS指令Compliant
最高工作温度150
标准包装名称TO-220
最低工作温度-65
最大功率耗散50000
最大基地发射极电压5
Maximum Transition Frequency30(Min)
封装Rail
每个芯片的元件数1
最大集电极基极电压150
供应商封装形式TO-220AB
最大集电极发射极电压150
铅形状Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大)8A
晶体管类型NPN
安装类型Through Hole
频率 - 转换30MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件500mV @ 100mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大)100µA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)150V
供应商设备封装TO-220AB
功率 - 最大50W
封装/外壳TO-220-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时20 @ 4A, 2V
其他名称MJE15030GOS
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
类别Bipolar Power
配置Single
外形尺寸9.28 x 10.28 x 4.82mm
身高9.28mm
长度10.28mm
最大集电极基极电压150 V
最大基地发射极电压5 V
最高工作温度+150 °C
最低工作温度-65 °C
包装类型TO-220AB
宽度4.82mm
工厂包装数量50
集电极 - 发射极饱和电压0.5 V
产品种类Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性NPN
发射极 - 基极电压VEBO5 V
直流集电极/增益hfe最小值40
增益带宽产品fT30 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO150 V
安装风格Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO150 V
RoHSRoHS Compliant
连续集电极电流8 A
集电极电流( DC)(最大值)8 A
集电极 - 基极电压150 V
集电极 - 发射极电压150 V
发射极 - 基极电压5 V
频率(最大)30 MHz
功率耗散50 W
工作温度范围-65C to 150C
元件数1
直流电流增益(最小值)40
工作温度分类Military
弧度硬化No
频率30 MHz
集电极电流(DC )8 A
直流电流增益40
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:150V
Transition Frequency ft:30MHz
功耗:2W
DC Collector Current:8A
DC Current Gain hFE:40
Operating Temperature Min:-65°C
Operating Temperature Max:150°C
Transistor Case Style:TO-220
No. of Pins:3
MSL:-
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
Application Code:PGP
Collector Emitter Voltage Vces:500mV
连续集电极电流Ic最大:8A
Current Ic Continuous a Max:1A
Current Ic hFE:3A
Full Power Rating Temperature:25°C
Gain Bandwidth ft Min:30MHz
Gain Bandwidth ft Typ:30MHz
Hfe Min:40
No. of Transistors:1
工作温度范围:-65°C to +150°C
Power Dissipation Ptot Max:50W
Pulsed Current Icm:16A
Voltage Vcbo:150V
Weight (kg)0.002


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