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实物拍摄 FQL40N50 TO264 500V N沟道MOSFET全新现货

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¥16.90

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产品规格

封装形式: TO-264

深圳市铭顺信电子有限公司

采通通 8 年资质认证实名企业

19年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

综合评分

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图文详情

产品属性

Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	25
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	500V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	40A
Rds（最大）@ ID，VGS	110 mOhm @ 20A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	200nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	7500pF @ 25V
功率 - 最大	460W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-264-3, TO-264AA
供应商器件封装	TO-264
包装材料	Tube
包装	3TO-264
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	500 V
最大连续漏极电流	40 A
RDS -于	110@10V mOhm
最大门源电压	±30 V
典型导通延迟时间	140 ns
典型上升时间	440 ns
典型关闭延迟时间	350 ns
典型下降时间	250 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Through Hole
标准包装	Rail / Tube
最大门源电压	±30
欧盟RoHS指令	Compliant
最高工作温度	150
最低工作温度	-55
渠道类型	N
封装	Rail
最大漏源电阻	110@10V
最大漏源电压	500
每个芯片的元件数	1
供应商封装形式	TO-264
最大功率耗散	460000
最大连续漏极电流	40
引脚数	3
FET特点	Standard
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	40A (Tc)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	5V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	500V
供应商设备封装	TO-264
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	110 mOhm @ 20A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	460W
封装/外壳	TO-264-3, TO-264AA
输入电容（Ciss ） @ VDS	7500pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	200nC @ 10V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量	25
晶体管极性	N-Channel
连续漏极电流	40 A
零件号别名	FQL40N50F_NL
下降时间	250 ns
产品种类	MOSFET
单位重量	0.238311 oz
配置	Single
最高工作温度	+ 150 C
正向跨导 - 闵	29 S
RoHS	RoHS Compliant
源极击穿电压	+/- 30 V
系列	FQL40N50F
RDS（ON）	110 mOhms
安装风格	Through Hole
功率耗散	460 W
最低工作温度	- 55 C
上升时间	440 ns
漏源击穿电压	500 V