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产品规格
封装: QFN
批号: 19+
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 23A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 3.2 mOhm @ 25A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 58nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 5070pF @ 30V |
| 功率 - 最大 | 3.2W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-TDFN Exposed Pad |
| 供应商器件封装 | 8-SON (5x6) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16218?mpart=CSD18532Q5B&vendor=296&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 23A (Ta), 100A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 供应商设备封装 | 8-SON (5x6) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 3.2 mOhm @ 25A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.2W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 5070pF @ 30V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 58nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-TDFN Exposed Pad |
| 其他名称 | 296-35628-1 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 172 A |
| 系列 | CSD18532Q5B |
| 封装/外壳 | SON-8 |
| RDS（ON） | 3.3 mOhms |
| 功率耗散 | 3.2 W |
| 商品名 | NexFET |
| 正向跨导 - 闵 | 143 S |
| 栅极电荷Qg | 21 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 上升时间 | 7.2 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 3.1 ns |
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