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产品规格
可售数量: 6500个
文档 | Materials 14/Apr/2009 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 12.4A |
Rds( )@ ID,VGS | 8 mOhm @ 13A, 10V |
VGS(TH)( )@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 55nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 3000pF @ 50V |
功率 - | 2.5W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-PQFN, Power56 |
供应商器件封装 | Power56 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 8Power 56 |
通道模式 | Enhancement |
漏源电压 | 100 V |
连续漏极电流 | 12.4 A |
RDS -于 | 8@10V mOhm |
门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 15 ns |
典型上升时间 | 11 ns |
典型关闭延迟时间 | 27 ns |
典型下降时间 | 7 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | Power 56 |
低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Reel |
漏源电阻 | 8@10V |
漏源电压 | 100 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | Power 56 |
功率耗散 | 2500 |
连续漏极电流 | 12.4 |
引脚数 | 8 |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 12.4A (Ta), 60A (Tc) |
的Vgs(th ) ( )@ Id | 4V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
供应商设备封装 | Power56 |
开态Rds( )@ Id ,V GS | 8 mOhm @ 13A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - | 2.5W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 3000pF @ 50V |
其他名称 | FDMS86101TR |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 55nC @ 10V |
封装/外壳 | 8-PQFN, Power56 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
类别 | Power MOSFET |
配置 | Quad Drain, Single, Triple Source |
外形尺寸 | 5.1 x 6.25 x 1.05mm |
身高 | 1.05mm |
长度 | 5.1mm |
漏源电阻 | 14 mΩ |
高工作温度 | +150 °C |
功率耗散 | 104 W |
低工作温度 | -55 °C |
包装类型 | Power 56 |
典型栅极电荷@ VGS | 39 nC V @ 10 |
典型输入电容@ VDS | 2255 pF V @ 50 |
宽度 | 6.25mm |
工厂包装数量 | 3000 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 12.4 A |
系列 | FDMS86101 |
单位重量 | 0.003175 oz |
RDS(ON) | 8 mOhms |
功率耗散 | 2.5 W |
安装风格 | SMD/SMT |
封装/外壳 | Power 56 |
上升时间 | 11 ns |
漏源击穿电压 | 100 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 7 ns |
漏极电流( 值) | 12.4 A |
频率( ) | Not Required MHz |
栅源电压( 值) | �20 V |
输出功率( ) | Not Required W |
噪声系数 | Not Required dB |
漏源导通电阻 | 0.008 ohm |
工作温度范围 | -55C to 150C |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏极效率 | Not Required % |
漏源导通电压 | 100 V |
功率增益 | Not Required dB |
弧度硬化 | No |
删除 | Compliant |
Continuous Drain Current Id | :60A |
Drain Source Voltage Vds | :100V |
On Resistance Rds(on) | :0.0084ohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
Threshold Voltage Vgs | :2.9V |
功耗 | :104W |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :Power 56 |
No. of Pins | :8 |
MSL | :MSL 1 - Unlimited |
SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
Weight (kg) | 0.0005 |

-
18988776985
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0755-82579959

FDMS86101出售原装N沟道MOSFET深圳现货支持BOM表配单
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6500个可售

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