【实物拍摄IRFP250M IRFP250MPBF长期原装供应场效应管】价格_批发_厂家_参数_图片_场效应管

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实物拍摄IRFP250M IRFP250MPBF长期原装供应场效应管

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¥2.99

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产品规格

可售数量： 20000个

深圳市铭顺信电子有限公司

采通通 8 年资质认证实名企业

19年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

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图文详情

产品属性

Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	25
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	200V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	30A
Rds（最大）@ ID，VGS	75 mOhm @ 18A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	123nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	2159pF @ 25V
功率 - 最大	214W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-247-3
供应商器件封装	TO-247AC
包装材料	Tube
包装	3TO-247AC
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	200 V
最大连续漏极电流	30 A
RDS -于	75@10V mOhm
最大门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	14 ns
典型上升时间	43 ns
典型关闭延迟时间	41 ns
典型下降时间	33 ns
工作温度	-55 to 175 °C
安装	Through Hole
标准包装	Rail / Tube
FET特点	Standard
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	30A (Tc)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	4V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	200V
供应商设备封装	TO-247AC
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	75 mOhm @ 18A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	214W
输入电容（Ciss ） @ VDS	2159pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	123nC @ 10V
封装/外壳	TO-247-3
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量	25
配置	Single
晶体管极性	N-Channel
源极击穿电压	20 V
连续漏极电流	30 A
正向跨导 - 闵	17 S
安装风格	Through Hole
RDS（ON）	75 mOhms
功率耗散	214 W
最低工作温度	- 55 C
封装/外壳	TO-247AC-3
栅极电荷Qg	82 nC
上升时间	43 ns
最高工作温度	+ 175 C
漏源击穿电压	200 V
RoHS	RoHS Compliant
下降时间	33 ns
栅源电压（最大值）	�20 V
工作温度范围	-55C to 175C
包装类型	TO-247AC
引脚数	3 +Tab
极性	N
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
漏源导通电压	200 V
弧度硬化	No