【原装现货供应MOSFET SI4946BEY-T1-E3 4946B 贴片SOP 集成电路电子元器件配单】价格_批发_厂家_参数_图片_场效应管

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原装现货供应MOSFET SI4946BEY-T1-E3 4946B 贴片SOP 集成电路电子元器件配单

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产品规格

可售数量： 8500个

深圳市铭顺信电子有限公司

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17年

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图文详情

产品属性

Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	2,500
FET 型	2 N-Channel (Dual)
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	60V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	6.5A
Rds（）@ ID，VGS	41 mOhm @ 5.3A, 10V
VGS（TH）（）@ Id	3V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	25nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	840pF @ 30V
功率 -	2.4W
安装类型	Surface Mount
包/盒	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装	8-SOICN
包装材料	Tape & Reel (TR)
包装	8SOIC N
通道模式	Enhancement
漏源电压	60 V
连续漏极电流	5.3 A
RDS -于	41@10V mOhm
门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	20\|10 ns
典型上升时间	120\|12 ns
典型关闭延迟时间	20\|25 ns
典型下降时间	30\|10 ns
工作温度	-50 to 175 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Tape & Reel
标准包装	Cut Tape
门源电压	±20
包装宽度	4(Max)
PCB	8
功率耗散	2400
漏源电压	60
欧盟RoHS指令	Compliant
漏源电阻	41@10V
每个芯片的元件数	2
低工作温度	-50
供应商封装形式	SOIC N
标准包装名称	SOIC
高工作温度	175
渠道类型	N
包装长度	5(Max)
引脚数	8
包装高度	1.55(Max)
连续漏极电流	5.3
封装	Tape and Reel
铅形状	Gull-wing
P（ TOT ）	3.7W
匹配代码	SI4946BEY-T1-E3
LogicLevel	YES
单位包	2500
标准的提前期	18 weeks
小起订量	2500
Q（克）	25nC
LLRDS （上）	0.052Ohm
汽车	NO
LLRDS （上）在	4.5V
我（D ）	6.5A
V（ DS ）	60V
技术	TrenchFET
的RDS（on ） at10V	0.041Ohm
无铅Defin	RoHS-conform
FET特点	Logic Level Gate
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	6.5A
的Vgs（th ）（）@ Id	3V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	60V
供应商设备封装	8-SOIC N
开态Rds（）@ Id ，V GS	41 mOhm @ 5.3A, 10V
FET型	2 N-Channel (Dual)
功率 -	2.4W
输入电容（Ciss ） @ VDS	840pF @ 30V
闸电荷（Qg ） @ VGS	25nC @ 10V
封装/外壳	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
其他名称	SI4946BEY-T1-E3CT
类别	Power MOSFET
配置	Dual, Dual Drain
外形尺寸	5 x 4 x 1.55mm
身高	1.55mm
长度	5mm
漏源电阻	0.041 Ω
高工作温度	+175 °C
功率耗散	2.4 W
低工作温度	-50 °C
包装类型	SOIC, SOIC N
典型栅极电荷@ VGS	17 nC V @ 10, 9.2 nC V @ 5
典型输入电容@ VDS	840 pF V @ 30
宽度	4mm
工厂包装数量	2500
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	6.5 A
安装风格	SMD/SMT
RDS（ON）	41 mOhms
功率耗散	3.7 W
商品名	TrenchFET
封装/外壳	SO-8
零件号别名	SI4946BEY-E3
上升时间	120 ns, 12 ns
漏源击穿电压	60 V
RoHS	RoHS Compliant By Exemption
下降时间	30 ns, 10 ns
Continuous Drain Current Id	:6.5A
Drain Source Voltage Vds	:60V
On Resistance Rds(on)	:41mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs	:20V
Threshold Voltage Vgs	:2.4V
功耗	:2.4W
Operating Temperature Min	:-50°C
Operating Temperature Max	:175°C
Transistor Case Style	:SOIC
No. of Pins	:8
MSL	:MSL 1 - Unlimited
Base Number	:4946
Continuous Drain Current Id, N Channel	:6.5A
Current Id Max	:6.5A
Drain Source Voltage Vds, N Channel	:60V
Module Configuration	:Dual
N-channel Gate Charge	:9.2nC
On Resistance Rds(on), N Channel	:0.033ohm
On State Resistance @ Vgs = 4.5V	:52mohm
On State resistance @ Vgs = 10V	:41mohm
工作温度范围	:-50°C to +175°C
端接类型	:SMD
Voltage Vds Typ	:60V
Voltage Vgs Max	:3V
Voltage Vgs Rds on Measurement	:10V