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原装现货 SI3473CDV-T1-GE3 丝印AR SOT23-6 P沟道贴片 场效应MOSFET 电子元器件配单

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深圳市铭顺信电子有限公司

17年

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广东深圳

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产品属性
RohsLead free / RoHS Compliant
标准包装3,000
FET 型MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS)12V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C8A
Rds( )@ ID,VGS22 mOhm @ 8.1A, 4.5V
VGS(TH)( )@ Id1V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS65nC @ 8V
输入电容(Ciss)@ Vds的2010pF @ 6V
功率 - 4.2W
安装类型Surface Mount
包/盒6-TSOP (0.065, 1.65mm Width)
供应商器件封装6-TSOP


品牌 SI
型号 SI3473CDV-T1-GE3
种类 绝缘栅(MOSFET)
沟道类型 P沟道
导电方式 增强型
用途 AM/调幅
封装外形 SMD(SO)/表面封装
材料 ALGaAS铝镓砷
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