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SI7456DP-T1-E3 PowerPAK SOP-8 100V 9.3A贴片MOSFET 原装现货 电子元器件配单

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深圳市铭顺信电子有限公司

18年

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广东深圳

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产品属性
RohsLead free / RoHS Compliant
标准包装3,000
FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS)100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C5.7A
Rds( )@ ID,VGS25 mOhm @ 9.3A, 10V
VGS(TH)( )@ Id4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS44nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的-
功率 - 1.9W
安装类型Surface Mount
包/盒PowerPAK® SO-8
供应商器件封装PowerPAK® SO-8
包装材料Tape & Reel (TR)
包装8PowerPAK SO
通道模式Enhancement
漏源电压100 V
连续漏极电流5.7 A
RDS -于25@10V mOhm
门源电压±20 V
典型导通延迟时间14 ns
典型上升时间10 ns
典型关闭延迟时间46 ns
典型下降时间26 ns
工作温度-55 to 150 °C
安装Surface Mount
标准包装Tape & Reel
门源电压±20
欧盟RoHS指令Compliant
高工作温度150
低工作温度-55
包装高度1.04
功率耗散1900
渠道类型N
封装Tape and Reel
漏源电阻25@10V
漏源电压100
每个芯片的元件数1
包装宽度5.89
供应商封装形式PowerPAK SO
包装长度4.9
PCB8
连续漏极电流5.7
引脚数8
铅形状No Lead
单位包0
小起订量1
FET特点Logic Level Gate
安装类型Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C5.7A (Ta)
的Vgs(th ) ( )@ Id4V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss)100V
供应商设备封装PowerPAK® SO-8
开态Rds( )@ Id ,V GS25 mOhm @ 9.3A, 10V
FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 1.9W
闸电荷(Qg ) @ VGS44nC @ 10V
封装/外壳PowerPAK® SO-8
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant


品牌 SI
型号 SI7456DP-T1-E3
种类 绝缘栅(MOSFET)
沟道类型 N沟道
导电方式 增强型
用途 AM/调幅
封装外形 SMD(SO)/表面封装
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