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产品规格
可售数量： 5600个
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 8.2A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 23 mOhm @ 15A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 65nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1880pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 3.1W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | TO-252, (D-Pak) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 8.2A (Ta), 20A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 标准包装 | 2,000 |
| 供应商设备封装 | TO-252, (D-Pak) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 23 mOhm @ 15A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.1W |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1880pF @ 20V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 65nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 16 V |
| 连续漏极电流 | 8.2 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 23 mOhms |
| 功率耗散 | 3.1 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 典型关闭延迟时间 | 42 ns, 36 ns |
| 上升时间 | 217 ns, 12 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | - 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 21 ns, 9 ns |
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