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实物拍摄STW11NK100Z W11NK100Z 原装现货现货

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产品规格

封装形式: TO-220

深圳市铭顺信电子有限公司

采通通 6 年资质认证实名企业

17年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

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图文详情

产品属性

文档	STW11NK100Z View All Specifications
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
其他相关文件	STW11NK100Z View All Specifications
标准包装	30
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	1000V (1kV)
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	8.3A
Rds（）@ ID，VGS	1.38 Ohm @ 4.15A, 10V
VGS（TH）（）@ Id	4.5V @ 100µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	162nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	3500pF @ 25V
功率 -	230W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-247-3
供应商器件封装	TO-247-3
包装材料	Tube
包装	3TO-247
通道模式	Enhancement
漏源电压	1000 V
连续漏极电流	8.3 A
RDS -于	1380@10V mOhm
门源电压	±30 V
典型导通延迟时间	27 ns
典型上升时间	18 ns
典型关闭延迟时间	98 ns
典型下降时间	55 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Through Hole
标准包装	Rail / Tube
门源电压	±30
包装宽度	5.15(Max)
PCB	3
功率耗散	230000
漏源电压	1000
欧盟RoHS指令	Compliant
漏源电阻	1380@10V
每个芯片的元件数	1
低工作温度	-55
供应商封装形式	TO-247
标准包装名称	TO-247
高工作温度	150
渠道类型	N
包装长度	15.75(Max)
引脚数	3
包装高度	20.15(Max)
连续漏极电流	8.3
封装	Tube
标签	Tab
铅形状	Through Hole
P（ TOT ）	230W
匹配代码	STW11NK100Z
R（ THJC ）	0.54K/W
LogicLevel	NO
单位包	30
标准的提前期	12 weeks
小起订量	600
Q（克）	162nC
无铅Defin	RoHS-conform
汽车	NO
我（D ）	8.3A
V（ DS ）	1000V
技术	SuperMESH
的RDS（on ） at10V	1.38Ohm
FET特点	Standard
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	8.3A (Tc)
的Vgs（th ）（）@ Id	4.5V @ 100µA
漏极至源极电压（Vdss）	1000V (1kV)
供应商设备封装	TO-247-3
开态Rds（）@ Id ，V GS	1.38 Ohm @ 4.15A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 -	230W
输入电容（Ciss ） @ VDS	3500pF @ 25V
其他名称	497-3255-5
闸电荷（Qg ） @ VGS	162nC @ 10V
封装/外壳	TO-247-3
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
类别	Power MOSFET
配置	Single
外形尺寸	15.75 x 5.15 x 20.15mm
身高	20.15mm
长度	15.75mm
漏源电阻	1.38 Ω
高工作温度	+150 °C
功率耗散	230 W
低工作温度	-55 °C
包装类型	TO-247
典型栅极电荷@ VGS	113 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS	3500 pF V @ 25
宽度	5.15mm
工厂包装数量	30
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
源极击穿电压	+/- 30 V
连续漏极电流	8.3 A
安装风格	Through Hole
RDS（ON）	1.38 Ohms
功率耗散	230 W
封装/外壳	TO-247
栅极电荷Qg	113 nC
上升时间	18 ns
漏源击穿电压	1000 V
RoHS	RoHS Compliant
下降时间	55 ns
漏极电流（值）	8.3 A
频率（）	Not Required MHz
栅源电压（值）	�30 V
输出功率（）	Not Required W
噪声系数	Not Required dB
漏源导通电阻	1.38 ohm
工作温度范围	-55C to 150C
极性	N
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
漏极效率	Not Required %
漏源导通电压	1000 V
功率增益	Not Required dB
弧度硬化	No
Continuous Drain Current Id	:8.3A
Drain Source Voltage Vds	:1kV
On Resistance Rds(on)	:1.38ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs	:10V
Threshold Voltage Vgs	:3.75V
功耗	:230W
Operating Temperature Min	:-55°C
Operating Temperature Max	:150°C
Transistor Case Style	:TO-247
No. of Pins	:3
MSL	:-
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
Current Id Max	:8.3A
On State resistance @ Vgs = 10V	:1.38ohm
工作温度范围	:-55°C to +150°C
端接类型	:Through Hole
Voltage Vds Typ	:1kV
Voltage Vgs Max	:3.75V
Voltage Vgs Rds on Measurement	:10V
Weight (kg)	0.19