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原装现货 IRF7807A F7807A 低价出售 量大价优 全新

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≥200PCS

产品规格

封装: SOP

批号: 19+

深圳市铭顺信电子有限公司

17年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

综合评分

图文详情
产品属性
RohsLead free / RoHS Compliant
标准包装4,000
FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点Standard
漏极至源极电压(VDSS)30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C8.3A
Rds( )@ ID,VGS25 mOhm @ 7A, 4.5V
VGS(TH)( )@ Id1V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS17nC @ 5V
输入电容(Ciss)@ Vds的-
功率 - 2.5W
安装类型Surface Mount
包/盒8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SO
包装材料Tape & Reel (TR)
包装8SOIC
通道模式Enhancement
漏源电压30 V
连续漏极电流8.3 A
RDS -于25@4.5V mOhm
门源电压±12 V
典型导通延迟时间12 ns
典型上升时间17 ns
典型关闭延迟时间25 ns
典型下降时间6 ns
工作温度-55 to 150 °C
安装Surface Mount
标准包装Tape & Reel
门源电压±12
包装宽度4(Max)
PCB8
功率耗散2500
漏源电压30
欧盟RoHS指令Compliant
漏源电阻25@4.5V
每个芯片的元件数1
低工作温度-55
供应商封装形式SOIC
标准包装名称SOIC
高工作温度150
渠道类型N
包装长度5(Max)
引脚数8
包装高度1.5(Max)
连续漏极电流8.3
封装Tape and Reel
铅形状Gull-wing
FET特点Standard
安装类型Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C8.3A (Ta)
的Vgs(th ) ( )@ Id1V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss)30V
供应商设备封装8-SO
开态Rds( )@ Id ,V GS25 mOhm @ 7A, 4.5V
FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 2.5W
闸电荷(Qg ) @ VGS17nC @ 5V
封装/外壳8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
其他名称IRF7807ATRPBFCT
工厂包装数量4000
配置Single
晶体管极性N-Channel
连续漏极电流8.3 A
安装风格SMD/SMT
RDS(ON)25 mOhms
功率耗散2.5 W
封装/外壳SO-8
栅极电荷Qg17 nC
上升时间17 ns
高工作温度+ 150 C
漏源击穿电压30 V
RoHSRoHS Compliant
下降时间6 ns
栅源电压( 值)�12 V
漏源导通电阻0.025 ohm
工作温度范围-55C to 150C
包装类型SOIC
极性N
类型Power MOSFET
元件数1
工作温度分类Military
漏源导通电压30 V
弧度硬化No


品牌 IR
型号 IRF7807A
类型 其他IC
封装 SOP8
批号 N/A
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原装现货 IRF7807A F7807A 低价出售 量大价优 全新

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