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FDMS7682出售原装N沟道MOSFET深圳现货供应支持BOM表配单

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产品规格

封装: QFN

批号: 19+

深圳市铭顺信电子有限公司

17年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

综合评分

图文详情
产品属性
RohsLead free / RoHS Compliant
标准包装3,000
FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS)30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C16A
Rds( )@ ID,VGS6.3 mOhm @ 14A, 10V
VGS(TH)( )@ Id3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS30nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的1885pF @ 15V
功率 - 2.5W
安装类型Surface Mount
包/盒8-PQFN, Power56
供应商器件封装Power56
包装材料Tape & Reel (TR)
包装8Power 56
通道模式Enhancement
漏源电压30 V
连续漏极电流16 A
RDS -于6.3@10V mOhm
门源电压±20 V
典型导通延迟时间9.4 ns
典型上升时间2.7 ns
典型关闭延迟时间22 ns
典型下降时间2.2 ns
工作温度-55 to 150 °C
安装Surface Mount
标准包装Tape & Reel
FET特点Logic Level Gate
封装Tape & Reel (TR)
安装类型Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C16A (Ta), 22A (Tc)
的Vgs(th ) ( )@ Id3V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss)30V
供应商设备封装Power56
开态Rds( )@ Id ,V GS6.3 mOhm @ 14A, 10V
FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 2.5W
输入电容(Ciss ) @ VDS1885pF @ 15V
其他名称FDMS7682TR
闸电荷(Qg ) @ VGS30nC @ 10V
封装/外壳8-PQFN, Power56
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
类别Power MOSFET
渠道类型N
配置Quad Drain, Single, Triple Source
外形尺寸5 x 6 x 1.05mm
身高1.05mm
长度5mm
漏源电阻10.4 mΩ
高工作温度+150 °C
功率耗散33 W
低工作温度-55 °C
每个芯片的元件数1
包装类型Power 56
引脚数8
典型栅极电荷@ VGS21 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS1416 pF V @ 15
宽度6mm
工厂包装数量3000
晶体管极性N-Channel
连续漏极电流22 A
封装/外壳Power 56
下降时间10 ns
单位重量0.003175 oz
正向跨导 - 闵70 S
RoHSRoHS Compliant
源极击穿电压20 V
系列FDMS7682
RDS(ON)6.3 mOhms
安装风格SMD/SMT
功率耗散33 W
上升时间10 ns
漏源击穿电压30 V
栅极电荷Qg9.9 nC
栅源电压( 值)�20 V
工作温度范围-55C to 150C
极性N
类型Power MOSFET
元件数1
工作温度分类Military
漏源导通电压30 V
弧度硬化No
Continuous Drain Current Id:22A
Drain Source Voltage Vds:30V
On Resistance Rds(on):0.0052ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
Threshold Voltage Vgs:1.9V
功耗:33W
Operating Temperature Min:-55°C
Operating Temperature Max:150°C
Transistor Case Style:Power 56
No. of Pins:8
MSL:MSL 1 - Unlimited
SVHC:No SVHC (16-Dec-2013)
工作温度范围:-55°C to +150°C
Weight (kg)0.003


品牌 F
型号 FDMS7682
封装 Power 56
批号 环保
漏源电压(Vdss) 30V
漏极电流(Id) 6.3 mOhms
漏源导通电阻(RDS On) 6.3 mOhms
应用领域 智能家居
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FDMS7682出售原装N沟道MOSFET深圳现货供应支持BOM表配单

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