【实物拍摄2SC4488488 DIP3 原装晶体管 Sanyo/三洋电子元器件配单】价格_批发_厂家_参数_图片_集成电路(IC)

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实物拍摄2SC4488488 DIP3 原装晶体管 Sanyo/三洋电子元器件配单

¥2.00

10-49PCS

¥1.50

≥50PCS

产品规格

封装: DIP

批号: 19+

深圳市铭顺信电子有限公司

采通通 6 年资质认证实名企业

17年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

综合评分

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图文详情

产品属性

Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	2,500
晶体管类型	NPN
- 集电极电流（Ic）（）	1A
电压 - 集电极发射极击穿（）	100V
Vce饱和（）@ IB，IC	400mV @ 40mA, 400mA
电流 - 集电极截止（）	-
直流电流增益（HFE）（小值）@ IC，VCE	100 @ 100mA, 5V
功率 -	1W
频率转换	120MHz
安装类型	Through Hole
包/盒	SC-71
供应商器件封装	3-NMP
包装材料	Tape & Reel (TR)
包装	3NMP
引脚数	3
集电极发射极电压	100 V
集电极直流电流	1 A
小直流电流增益	200@100mA@5V
集电极基极电压	120 V
功率耗散	1000 mW
标准包装	Tape & Reel
集电极直流电流	1
低工作温度	-55
安装	Through Hole
Maximum Transition Frequency	120(Typ)
包装宽度	2.5
PCB	3
功率耗散	1000
类型	NPN
欧盟RoHS指令	Compliant
每个芯片的元件数	1
集电极基极电压	120
集电极发射极电压	100
供应商封装形式	NMP
高工作温度	150
包装长度	6.9
包装高度	4.5
基地发射极电压	6
封装	Tape and Reel
铅形状	Through Hole
电流 - 集电极（ Ic）（）	1A
晶体管类型	NPN
安装类型	Through Hole
频率 - 转换	120MHz
下的Vce饱和度（） Ib，Ic条件	400mV @ 40mA, 400mA
电压 - 集电极发射极击穿（）	100V
供应商设备封装	3-NMP
功率 -	1W
封装/外壳	SC-71
直流电流增益（ hFE）（小值） Ic，Vce时	100 @ 100mA, 5V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
类别	High Voltage Switching
配置	Single
外形尺寸	6.9 x 2.5 x 4.5mm
身高	4.5mm
长度	6.9mm
的基射极饱和电压	1.2 V
集电极发射极饱和电压	0.4 V
基地发射极电压	6 V
工作频率	1 MHz
高工作温度	+150 °C
包装类型	NMP
宽度	2.5mm
发射极 - 基极电压VEBO	6 V
集电极 - 发射极饱和电压	0.1 V
晶体管极性	NPN
系列	2SC4488
直流电流增益hFE 值	400
增益带宽产品fT	120 MHz
集电极 - 发射极电压VCEO	100 V
安装风格	Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO	120 V
低工作温度	- 55 C
RoHS	RoHS Compliant
连续集电极电流	1 A