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¥2.00
10-49PCS
¥1.50
≥50PCS
产品规格
封装: DIP
批号: 19+
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流(Ic)(最大) | 1A |
| 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 100V |
| Vce饱和(最大)@ IB,IC | 400mV @ 40mA, 400mA |
| 电流 - 集电极截止(最大) | - |
| 直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 100 @ 100mA, 5V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 频率转换 | 120MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | SC-71 |
| 供应商器件封装 | 3-NMP |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3NMP |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 100 V |
| 集电极最大直流电流 | 1 A |
| 最小直流电流增益 | 200@100mA@5V |
| 最大集电极基极电压 | 120 V |
| 最大功率耗散 | 1000 mW |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 安装 | Through Hole |
| Maximum Transition Frequency | 120(Typ) |
| 包装宽度 | 2.5 |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| 类型 | NPN |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 120 |
| 最大集电极发射极电压 | 100 |
| 供应商封装形式 | NMP |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 6.9 |
| 包装高度 | 4.5 |
| 最大基地发射极电压 | 6 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极( Ic)(最大) | 1A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 120MHz |
| 下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 400mV @ 40mA, 400mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 100V |
| 供应商设备封装 | 3-NMP |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 封装/外壳 | SC-71 |
| 直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 100 @ 100mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | High Voltage Switching |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 6.9 x 2.5 x 4.5mm |
| 身高 | 4.5mm |
| 长度 | 6.9mm |
| 最大的基射极饱和电压 | 1.2 V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.4 V |
| 最大基地发射极电压 | 6 V |
| 最大工作频率 | 1 MHz |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 包装类型 | NMP |
| 宽度 | 2.5mm |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.1 V |
| 晶体管极性 | NPN |
| 系列 | 2SC4488 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 400 |
| 增益带宽产品fT | 120 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 120 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 1 A |
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18988776985
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0755-82579959
实物拍摄2SC4488488 DIP3 原装晶体管 Sanyo/三洋 电子元器件配单
¥ 1.50 ~ ¥ 2.00
- DIP
- 19+
-
¥1.50
45000PCS可售
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