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可售数量： 15600个
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 120A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （ ）@ Id | 3.8V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 75V |
| 标准包装 | 50 |
| 供应商设备封装 | TO-220 |
| 开态Rds（ ）@ Id ，V GS | 2.35 mOhm @ 75A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - | 245W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 13765pF @ 37.5V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 195nC @ 10V |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 242 A |
| 下降时间 | 56 ns |
| 单位重量 | 0.082753 oz |
| 配置 | Single |
| 高工作温度 | + 175 C |
| 正向跨导 - 闵 | 185 S |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 111 ns |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 系列 | FDP023N08B |
| RDS（ON） | 1.96 mOhms |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 245 W |
| 低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 71 ns |
| 漏源击穿电压 | 75 V |
| 栅极电荷Qg | 150 nC |
| 栅源电压（ 值） | �20 V |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 75 V |
| 弧度硬化 | No |
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