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产品规格
封装形式: TO-220
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 100V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 12A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 210 mOhm @ 6A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 48nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1100pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 35W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商器件封装 | TO-220NIS |
| 包装材料 | Tube |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 12A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 1mA |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商设备封装 | TO-220NIS |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 210 mOhm @ 6A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 35W |
| 标准包装 | 50 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1100pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 48nC @ 10V |
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