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贴片三极管 TO-252 出售原装 2SD882 支持BOM表配单D882M 晶体管 电子元器件配单

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封装形式: TO-252

深圳市铭顺信电子有限公司

19年

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广东深圳

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10.0

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产品属性
RohsLead free / RoHS Compliant
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标准包装50
晶体管类型NPN
- 集电极电流(Ic)(最大)3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)30V
Vce饱和(最大)@ IB,IC1.1V @ 150mA, 3A
电流 - 集电极截止(最大)100µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE100 @ 100mA, 2V
功率 - 最大12.5W
频率转换100MHz
安装类型Through Hole
包/盒TO-225AA, TO-126-3
供应商器件封装SOT-32-3
包装材料Tube
包装3SOT-32
类型NPN
引脚数3
最大集电极发射极电压30 V
集电极最大直流电流3 A
最小直流电流增益100@100mA@2V|80@1A@2V|30@3A@2V
最大工作频率100(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压0.4@50mA@1A|0.7@100mA@2A|1.1@150mA@3A V
最大集电极基极电压60 V
工作温度-65 to 150 °C
最大功率耗散12500 mW
安装Through Hole
标准包装Rail / Tube
集电极最大直流电流3
欧盟RoHS指令Compliant
最高工作温度150
标准包装名称TO-126
最低工作温度-65
最大功率耗散12500
最大基地发射极电压5
Maximum Transition Frequency100(Typ)
封装Tube
每个芯片的元件数1
最大集电极基极电压60
供应商封装形式SOT-32
最大集电极发射极电压30
铅形状Through Hole
单位包50
最小起订量6000
电流 - 集电极( Ic)(最大)3A
晶体管类型NPN
安装类型Through Hole
频率 - 转换100MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件1.1V @ 150mA, 3A
电流 - 集电极截止(最大)100µA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)30V
供应商设备封装SOT-32-3
功率 - 最大12.5W
封装/外壳TO-225AA, TO-126-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时100 @ 100mA, 2V
其他名称497-4821-5
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
类别Bipolar Power
配置Single
外形尺寸10.8 x 7.8 x 2.7mm
身高10.8mm
长度7.8mm
最大的基射极饱和电压1.2 V
最大基地发射极电压5 V
最高工作温度+150 °C
最低工作温度-65 °C
包装类型SOT-32
宽度2.7mm
工厂包装数量2000
增益带宽产品fT100 MHz
产品种类Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性NPN
发射极 - 基极电压VEBO5 V
直流集电极/增益hfe最小值100
集电极 - 发射极最大电压VCEO30 V
安装风格SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO60 V
RoHSRoHS Compliant
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V
Transition Frequency ft:100MHz
功耗:12.5W
DC Collector Current:3A
DC Current Gain hFE:100
Operating Temperature Min:-65°C
Operating Temperature Max:150°C
Transistor Case Style:SOT-32
No. of Pins:3
MSL:-
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
Collector Emitter Voltage Vces:400mV
Current Ic Continuous a Max:1A
Gain Bandwidth ft Typ:100MHz
Hfe Min:100
工作温度范围:-65°C to +150°C
端接类型:Through Hole
Weight (kg)0.00195


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