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可售数量： 9500个
| 安装类型 | 通孔 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 10.54mm |
| 典型输入电容值@Vds | 2370 pF @ 25 V |
| 系列 | HEXFET |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 19.3mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 漏源电阻值 | 80 mΩ |
| 栅阈值电压 | 5.5V |
| Board Level Components | Y |
| 高工作温度 | +175 °C |
| 通道类型 | N |
| 低工作温度 | -55 °C |
| 功率耗散 | 200 W |
| 栅源电压 | ±30 V |
| 宽度 | 4.69mm |
| 尺寸 | 10.54 x 4.69 x 19.3mm |
| 小栅阈值电压 | 3V |
| 漏源电压 | 200 V |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns |
| 典型关断延迟时间 | 26 ns |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 连续漏极电流 | 31 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 70 nC @ 10 V |
| 工厂包装数量 | 550 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5.5 V |
| Qg - Gate Charge | 70 nC |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 下降时间 | 10 ns |
| 封装 | Tube |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | Single |
| 高工作温度 | + 175 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 17 S |
| Id - Continuous Drain Current | 31 A |
| 长度 | 10 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 82 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 通道模式 | Enhancement |
| 身高 | 15.65 mm |
| 安装风格 | Through Hole |
| 典型导通延迟时间 | 16 ns |
| 低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 200 W |
| 上升时间 | 38 ns |
| 技术 | Si |
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