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2SK2611 K2611 高电压开关应用N沟道MOSFET 场效应管 原装现货 电子元器件配单 BOM表报价

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深圳市铭顺信电子有限公司

18年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

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温馨提示:

1.产品图片为形象图片,以实物为准;

2.网上报价仅供参考,根据购买数量的不同会有不同的价格浮动,以实时销售报价为准!

3.产品参数请以官网数据为准!

本公司拥有 配单员工,可以帮助厂方配置各种电子元件单,采购方案。同时,利用我司销售多年电子元件的经验解决假货,翻新货的困扰。为厂家提供原装元器件,保障厂家产品的质量!

 

 


2SK2611  K2611 高电压开关应用N沟道MOSFET【实物拍摄】深圳现货示例图1




包装3TO-3PN
通道模式Enhancement
漏源电压900 V
连续漏极电流9 A
RDS -于1400@10V mOhm
门源电压±30 V
典型上升时间25 ns
典型下降时间20 ns
工作温度-55 to 150 °C
安装Through Hole
门源电压±30
欧盟RoHS指令Compliant
高工作温度150
标准包装名称TO-3PN
低工作温度-55
渠道类型N
漏源电阻1400@10V
漏源电压900
每个芯片的元件数1
供应商封装形式TO-3PN
功率耗散150000
连续漏极电流9
引脚数3




品牌 T
型号 2SK2611
导电方式 增强型
沟道类型 N沟道
种类 绝缘栅(MOSFET)
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