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FQP8N60C 8N60 TO-220出售原装600V N沟道MOSFET 场效应管 电子元器件配单 晶体管

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深圳市铭顺信电子有限公司

17年

经营年限

广东深圳

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1.产品图片为形象图片,以实物为准;

2.网上报价仅供参考,根据购买数量的不同会有不同的价格浮动,以实时销售报价为准!

3.产品参数请以官网数据为准!

本公司拥有 配单员工,可以帮助厂方配置各种电子元件单,采购方案。同时,利用我司销售多年电子元件的经验解决假货,翻新货的困扰。为厂家提供原装元器件,保障厂家产品的质量!

 

 

标准包装50
FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点Standard
漏极至源极电压(VDSS)600V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C7.5A
Rds( )@ ID,VGS1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
VGS(TH)( )@ Id4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS36nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的1255pF @ 25V
功率 - 147W
安装类型Through Hole
包/盒TO-220-3
供应商器件封装TO-220
包装材料Tube

FQP8N60C 8N60 TO-220【出售原装】600V N沟道MOSFET示例图1









品牌 F
型号 FQP8N60C
种类 绝缘栅(MOSFET)
沟道类型 N沟道
导电方式 增强型
用途 SW-REG/开关电源
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插
材料 N-FET硅N沟道
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