- 产品
- 详情
- 推荐
收藏
¥5.99
5-49个
¥4.99
≥50个
产品规格
可售数量: 5600个
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 36A |
Rds( )@ ID,VGS | 990 mOhm @ 36A, 10V |
VGS(TH)( )@ Id | 3V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 209nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 14965pF @ 15V |
功率 - | 2.5W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-PowerTDFN |
供应商器件封装 | 8-PQFN (5X6), Power56 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 8Power 56 |
通道模式 | Enhancement |
漏源电压 | 30 V |
连续漏极电流 | 36 A |
RDS -于 | 0.99@10V mOhm |
门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 28 ns |
典型上升时间 | 24 ns |
典型关闭延迟时间 | 83 ns |
典型下降时间 | 21 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | Power 56 |
包装高度 | 1.05(Max) |
功率耗散 | 2500 |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Reel |
漏源电阻 | 0.99@10V |
低工作温度 | -55 |
漏源电压 | 30 |
每个芯片的元件数 | 1 |
包装宽度 | 6 |
供应商封装形式 | Power 56 |
包装长度 | 5 |
PCB | 8 |
连续漏极电流 | 36 |
引脚数 | 8 |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 36A (Ta), 100A (Tc) |
的Vgs(th ) ( )@ Id | 3V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
供应商设备封装 | 8-PQFN (5X6), Power56 |
开态Rds( )@ Id ,V GS | 0.99 mOhm @ 36A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - | 2.5W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 14965pF @ 15V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 209nC @ 10V |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | FDMS7650CT |
类别 | Power MOSFET |
配置 | Quad Drain, Single, Triple Source |
外形尺寸 | 5 x 6 x 1.05mm |
身高 | 1.05mm |
长度 | 5mm |
漏源电阻 | 1.7 mΩ |
高工作温度 | +150 °C |
功率耗散 | 104 W |
低工作温度 | -55 °C |
包装类型 | Power 56 |
典型栅极电荷@ VGS | 149 nC V @ 10 |
典型输入电容@ VDS | 11250 pF V @ 15 |
宽度 | 6mm |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 60 A |
封装/外壳 | Power 56 |
下降时间 | 21 ns |
产品种类 | MOSFET |
单位重量 | 0.003175 oz |
正向跨导 - 闵 | 267 S |
RoHS | RoHS Compliant |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
系列 | FDMS7650 |
RDS(ON) | 1.1 mOhms |
安装风格 | SMD/SMT |
功率耗散 | 2.5 W |
上升时间 | 24 ns |
漏源击穿电压 | 30 V |
栅源电压( 值) | �20 V |
工作温度范围 | -55C to 150C |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏源导通电压 | 30 V |
弧度硬化 | No |
Continuous Drain Current Id | :100A |
Drain Source Voltage Vds | :30V |
On Resistance Rds(on) | :0.008ohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
Threshold Voltage Vgs | :1.9V |
功耗 | :104W |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :Power 56 |
No. of Pins | :8 |
MSL | :MSL 1 - Unlimited |
SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013 |
-
18988776985
-
0755-82579959
FDMS7650 出售原装 N沟道MOSFET 现货供应 场效应管 支持BOM表配单 电子元器件配单
¥ 4.99 ~ ¥ 5.99
¥4.99
5600个可售
询价单发送成功~