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实物拍摄IRFP460 IRFP460PBF TO247 原装N沟道场效应管 电子元器件配单 BOM表报价

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深圳市铭顺信电子有限公司

17年

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广东深圳

所在地区

10.0

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产品属性
单位包500
小起订量500
FET特点Logic Level Gate
封装Tube
安装类型Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C20A (Tc)
的Vgs(th ) ( )@ Id4V @ 250µA
供应商设备封装TO-247AC
开态Rds( )@ Id ,V GS250 mOhm @ 10A, 10V
FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 278W
标准包装500
漏极至源极电压(Vdss)500V
输入电容(Ciss ) @ VDS3094pF @ 100V
闸电荷(Qg ) @ VGS170nC @ 10V
封装/外壳TO-247-3
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
安装风格Through Hole
产品种类MOSFET
晶体管极性N-Channel
配置Single
源极击穿电压+/- 20 V
连续漏极电流20 A
正向跨导 - 闵12 S
RDS(ON)250 mOhms
功率耗散278 W
低工作温度- 55 C
封装/外壳TO-247AC
栅极电荷Qg85 nC
上升时间31 ns
高工作温度+ 150 C
漏源击穿电压500 V
RoHSRoHS Compliant
下降时间56 ns
栅源电压( 值)�20 V
安装Through Hole
工作温度范围-55C to 150C
包装类型TO-247AC
引脚数3 +Tab
极性N
类型Power MOSFET
元件数1
工作温度分类Military
通道模式Enhancement
漏源导通电压500 V
弧度硬化No


品牌 IR
型号 IRFP460PBF
种类 绝缘栅(MOSFET)
沟道类型 MOSFET N 通道
导电方式 增强型
封装外形 TO-247-3
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