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可售数量： 8500个
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | 6-SON (2x2) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 23.9 mOhm @ 5A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.9W |
| 封装/外壳 | 6-WDFN Exposed Pad |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 655pF @ 10V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 20A (Ta) |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 4.7nC @ 4.5V |
| Status | ACTIVE |
| Temp (oC) | -40 to 85 |
| Package | Pins | WSON (DQK) | 6 |
| Device Marking | View |
| Package QTY | Carrier | 3000 | LARGE T&R |
| QGD Typ | 0.5 |
| VDS | -20 |
| Functional Diagram | |
| VGS | -8 |
| VGSTH Typ | -0.85 |
| Rds(on) Max at VGS=45V | 23.9 |
| Reference Design | Y |
| Logic Level | Yes |
| 包装 | SON2x2 |
| High-Side PMOS | |
| Datasheet | SLPS459A |
| QGS Typ | 1.1 |
| Id peak | -48 |
| 配置 | Single |
| TI Design | Y |
| Rds(on) Max at VGS=18V | 89 |
| Rds(on) Max at VGS=25V | 32.5 |
| QG Typ | 3.6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 20 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | - 850 mV |
| Qg - Gate Charge | 3.6 nC |
| 下降时间 | 5 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | NexFET |
| 最高工作温度 | + 85 C |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 34 S |
| Id - Continuous Drain Current | - 9.6 A |
| 长度 | 2 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 23.9 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 系列 | CSD25310Q2 |
| 身高 | 0.75 mm |
| 典型导通延迟时间 | 8 ns |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| Pd - Power Dissipation | 2.9 W |
| 上升时间 | 15 ns |
| 技术 | Si |
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