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CSD16323Q3出售原装SON-8贴片场效应MOS深圳现货欢迎查询TI

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¥2.49

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产品规格

可售数量： 5600个

深圳市铭顺信电子有限公司

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17年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

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图文详情

产品属性

标准包装	2,500
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	25V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	60A
Rds（）@ ID，VGS	4.5 mOhm @ 24A, 8V
VGS（TH）（）@ Id	1.4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	8.4nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）@ Vds的	1300pF @ 12.5V
功率 -	3W
安装类型	Surface Mount
包/盒	8-TDFN Exposed Pad
供应商器件封装	8-SON
包装材料	Tape & Reel (TR)
包装	8SON EP
通道模式	Enhancement
漏源电压	25 V
连续漏极电流	21 A
RDS -于	4.5@8V mOhm
门源电压	10 V
典型导通延迟时间	5.3 ns
典型上升时间	15 ns
典型关闭延迟时间	13 ns
典型下降时间	6.3 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Tape & Reel
门源电压	10
欧盟RoHS指令	Compliant
高工作温度	150
低工作温度	-55
包装高度	1
功率耗散	3000
渠道类型	N
漏源电阻	4.5@8V
漏源电压	25
每个芯片的元件数	1
包装宽度	3.3
供应商封装形式	SON EP
包装长度	3.3
PCB	8
连续漏极电流	21
引脚数	8
FET特点	Logic Level Gate
封装	Tape & Reel (TR)
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	21A (Ta), 60A (Tc)
的Vgs（th ）（）@ Id	1.4V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	25V
供应商设备封装	8-SON
开态Rds（）@ Id ，V GS	4.5 mOhm @ 24A, 8V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 -	3W
输入电容（Ciss ） @ VDS	1300pF @ 12.5V
其他名称	296-24522-2
闸电荷（Qg ） @ VGS	8.4nC @ 4.5V
封装/外壳	8-TDFN Exposed Pad
RoHS指令	Contains lead / RoHS compliant by exemption
晶体管极性	:N Channel
Continuous Drain Current Id	:60A
Drain Source Voltage Vds	:25V
On Resistance Rds(on)	:4.4mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs	:4.5V
Threshold Voltage Vgs	:1.1V
功耗	:3W
Operating Temperature Min	:-55°C
Operating Temperature Max	:150°C
Transistor Case Style	:SON
No. of Pins	:8
MSL	:MSL 1 - Unlimited
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
Current Id Max	:60A
工作温度范围	:-55°C to +150°C
端接类型	:SMD
晶体管类型	:Power MOSFET
Voltage Vds Typ	:25V
Voltage Vgs Max	:10V
Voltage Vgs Rds on Measurement	:8V