【FDPF18N50 500V TO-220F场效应MOSFET实物拍摄深圳现货18N50】价格_批发_厂家_参数_图片_场效应管

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FDPF18N50 500V TO-220F场效应MOSFET实物拍摄深圳现货18N50

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产品规格

可售数量： 4500个

深圳市铭顺信电子有限公司

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18年

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广东深圳

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图文详情

产品属性

标准包装	50
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	500V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	18A
Rds（）@ ID，VGS	265 mOhm @ 9A, 10V
VGS（TH）（）@ Id	5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	60nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	2860pF @ 25V
功率 -	38.5W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装	TO-220F
包装材料	Tube
包装	3TO-220F
通道模式	Enhancement
漏源电压	500 V
连续漏极电流	18 A
RDS -于	265@10V mOhm
门源电压	±30 V
典型导通延迟时间	55 ns
典型上升时间	165 ns
典型关闭延迟时间	95 ns
典型下降时间	90 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Through Hole
标准包装	Rail / Tube
门源电压	±30
欧盟RoHS指令	Compliant
高工作温度	150
标准包装名称	TO-220F
低工作温度	-55
渠道类型	N
封装	Rail
漏源电阻	265@10V
漏源电压	500
每个芯片的元件数	1
供应商封装形式	TO-220F
功率耗散	38500
连续漏极电流	18
引脚数	3
铅形状	Through Hole
FET特点	Standard
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	18A (Tc)
的Vgs（th ）（）@ Id	5V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	500V
供应商设备封装	TO-220F
开态Rds（）@ Id ，V GS	265 mOhm @ 9A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 -	38.5W
输入电容（Ciss ） @ VDS	2860pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	60nC @ 10V
封装/外壳	TO-220-3 Full Pack
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
类别	Power MOSFET
配置	Single
外形尺寸	10.16 x 4.7 x 9.19mm
身高	9.19mm
长度	10.16mm
漏源电阻	0.265 Ω
高工作温度	+150 °C
功率耗散	38.5 W
低工作温度	-55 °C
包装类型	TO-220F
典型栅极电荷@ VGS	45 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS	2200 pF V @ 25
宽度	4.7mm
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
连续漏极电流	8 A
封装/外壳	TO-220F
下降时间	90 ns
产品种类	MOSFET
单位重量	0.080072 oz
正向跨导 - 闵	25 S
RoHS	RoHS Compliant
源极击穿电压	+/- 30 V
系列	FDPF18N50
RDS（ON）	265 mOhms
安装风格	Through Hole
功率耗散	38.5 W
上升时间	165 ns
漏源击穿电压	500 V