【SUD50P04-09L-E3 50P04-09L 40V 50A 实物拍摄贴片MOSFET】价格_批发_厂家_参数_图片_场效应管

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SUD50P04-09L-E3 50P04-09L 40V 50A 实物拍摄贴片MOSFET

¥3.49

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¥2.99

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产品规格

可售数量： 5400个

深圳市铭顺信电子有限公司

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19年

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图文详情

产品属性

标准包装	2,000
FET 型	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	40V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	50A
Rds（最大）@ ID，VGS	9.4 mOhm @ 24A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	3V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	150nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	4800pF @ 25V
功率 - 最大	3W
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装	TO-252, (D-Pak)
包装材料	Tape & Reel (TR)
包装	3DPAK
渠道类型	P
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	40 V
最大连续漏极电流	50 A
RDS -于	9.4@10V mOhm
最大门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	10 ns
典型上升时间	60 ns
典型关闭延迟时间	145 ns
典型下降时间	140 ns
工作温度	-55 to 175 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Rail / Tube
标准包装	Tape & Reel
最大门源电压	±20
欧盟RoHS指令	Compliant
最高工作温度	175
标准包装名称	DPAK
最低工作温度	-55
最大漏源电阻	9.4@10V
最大漏源电压	40
每个芯片的元件数	1
供应商封装形式	DPAK
最大功率耗散	3000
最大连续漏极电流	50
引脚数	3
铅形状	Gull-wing
P（ TOT ）	136W
匹配代码	SUD50P04-09L-E3
R（ THJC ）	1.1K/W
LogicLevel	YES
单位包	2000
标准的提前期	26 weeks
最小起订量	2000
Q（克）	150nC
LLRDS （上）	0.0145Ohm
汽车	NO
LLRDS （上）在	-4,5V
我（D ）	-50A
V（ DS ）	-40V
技术	TrenchFET
的RDS（on ） at10V	0.0094Ohm
无铅Defin	RoHS-conform
FET特点	Logic Level Gate
封装	Tape & Reel (TR)
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	50A (Tc)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	3V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	40V
供应商设备封装	TO-252, (D-Pak)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	9.4 mOhm @ 24A, 10V
FET型	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	3W
输入电容（Ciss ） @ VDS	4800pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	150nC @ 10V
封装/外壳	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
其他名称	SUD50P04-09L-E3CT
工厂包装数量	2000
产品种类	MOSFET
晶体管极性	P-Channel
配置	Single
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	50 A
正向跨导 - 闵	73 S
安装风格	SMD/SMT
RDS（ON）	9.4 mOhms
功率耗散	136 W
最低工作温度	- 55 C
封装/外壳	TO-252-3
上升时间	60 ns
最高工作温度	+ 175 C
漏源击穿电压	40 V
RoHS	RoHS Compliant By Exemption
下降时间	140 ns
栅源电压（最大值）	�20 V
漏源导通电阻	0.0094 ohm
工作温度范围	-55C to 175C
包装类型	DPAK
极性	P
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
漏源导通电压	40 V
弧度硬化	No
Continuous Drain Current Id	:-50A
Drain Source Voltage Vds	:-40V
On Resistance Rds(on)	:7500µohm
Rds(on) Test Voltage Vgs	:-10V
Threshold Voltage Vgs	:-1V