【STF26NM60N实物拍摄N沟道600V场效应管TO-220F现货26NM60N】价格_批发_厂家_参数_图片_场效应管

1/1

STF26NM60N实物拍摄N沟道600V场效应管TO-220F现货26NM60N

¥ 6.99

1个起订

产品规格

可售数量： 6500个

深圳市铭顺信电子有限公司

采通通 6 年资质认证实名企业

17年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

综合评分

全部产品进入店铺

图文详情

产品属性

标准包装	50
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	600V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	20A
Rds（）@ ID，VGS	165 mOhm @ 10A, 10V
VGS（TH）（）@ Id	4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	60nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	1800pF @ 50V
功率 -	30W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装	TO-220FP
包装材料	Tube
包装	3TO-220FP
通道模式	Enhancement
漏源电压	600 V
连续漏极电流	20 A
RDS -于	165@10V mOhm
门源电压	±25 V
典型导通延迟时间	13 ns
典型上升时间	25 ns
典型关闭延迟时间	85 ns
典型下降时间	50 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Through Hole
标准包装	Bulk
门源电压	±25
包装宽度	4.6(Max)
PCB	3
功率耗散	35000
漏源电压	600
欧盟RoHS指令	Compliant
漏源电阻	165@10V
每个芯片的元件数	1
低工作温度	-55
供应商封装形式	TO-220FP
标准包装名称	TO-220F
高工作温度	150
渠道类型	N
包装长度	10.4(Max)
引脚数	3
包装高度	16.4(Max)
连续漏极电流	20
封装	Tube
标签	Tab
铅形状	Through Hole
单位包	50
小起订量	1000
FET特点	Standard
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	20A (Tc)
的Vgs（th ）（）@ Id	4V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	600V
供应商设备封装	TO-220FP
开态Rds（）@ Id ，V GS	165 mOhm @ 10A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 -	30W
输入电容（Ciss ） @ VDS	1800pF @ 50V
闸电荷（Qg ） @ VGS	60nC @ 10V
封装/外壳	TO-220-3 Full Pack
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
类别	Power MOSFET
外形尺寸	10.4 x 4.6 x 16.4mm
身高	16.4mm
长度	10.4mm
漏源电阻	0.165 Ω
高工作温度	+150 °C
功率耗散	35 W
包装类型	TO-220FP
典型栅极电荷@ VGS	60 nC @ 10 V
典型输入电容@ VDS	1800 pF @ 50 V
宽度	4.6mm
产品种类	MOSFET
RoHS	RoHS Compliant