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¥ 20.00
10PCS起订
产品规格
封装: PSOF-8
工厂包装数量 2000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
晶体管极性 N-Channel
封装/外壳 HSOF-8
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.2 V
宽度 10.1 mm
Qg - Gate Charge 169 nC
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
下降时间 30 ns
安装风格 SMD/SMT
品牌 Infineon Technologies
通道数 1 Channel
配置 Single
高工作温度 + 175 C
晶体管类型 1 N-Channel
正向跨导 - 闵 140 S
Id - Continuous Drain Current 300 A
长度 10.58 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 2 mOhms
RoHS RoHS Compliant
典型关闭延迟时间 85 ns
通道模式 Enhancement
身高 2.4 mm
封装 Reel
典型导通延迟时间 36 ns
低工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 375 W
上升时间 30 ns
技术 Si
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15000PCS可售
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