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BTS282Z 汽车IC芯片 N沟道场效应 汽车门灯控制电源开关 亚泰盈科

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17年

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广东深圳

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包装 7TO-220AB
通道模式 Enhancement
漏源电压 49 V
连续漏极电流 80 A
RDS -于 6.5@10V mOhm
门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 30 ns
典型上升时间 37 ns
典型关闭延迟时间 70 ns
典型下降时间 36 ns
工作温度 -40 to 175 °C
安装 Through Hole
标准包装 Tape & Reel

             

 

    BTS282Z 汽车IC芯片 N沟道场效应 汽车门灯控制电源开关示例图1

BTS282Z 汽车IC芯片 N沟道场效应 汽车门灯控制电源开关示例图2

BTS282Z 汽车IC芯片 N沟道场效应 汽车门灯控制电源开关示例图3

BTS282Z 汽车IC芯片 N沟道场效应 汽车门灯控制电源开关示例图4

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