【IRF640N TO-220 N通道功率MOSFET出售原装实物拍摄深圳现货】价格_批发_厂家_参数_图片_绝缘栅(MOSFET)

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IRF640N TO-220 N通道功率MOSFET出售原装实物拍摄深圳现货

¥3.50

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¥1.99

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≥50个

产品规格

可售数量： 5000个

深圳市铭顺信电子有限公司

采通通 6 年资质认证实名企业

17年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

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图文详情

产品属性

标准包装	50
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	200V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	18A
Rds（）@ ID，VGS	150 mOhm @ 11A, 10V
VGS（TH）（）@ Id	4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	67nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	1160pF @ 25V
功率 -	150W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供应商器件封装	TO-262
包装材料	Tube
包装	3TO-262
通道模式	Enhancement
漏源电压	200 V
连续漏极电流	18 A
RDS -于	150@10V mOhm
门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	10 ns
典型上升时间	19 ns
典型关闭延迟时间	23 ns
典型下降时间	5.5 ns
工作温度	-55 to 175 °C
安装	Through Hole
标准包装	Rail / Tube
门源电压	±20
包装宽度	4.83(Max)
PCB	3
功率耗散	150000
漏源电压	200
欧盟RoHS指令	Compliant
漏源电阻	150@10V
每个芯片的元件数	1
低工作温度	-55
供应商封装形式	TO-262
标准包装名称	I2PAK
高工作温度	175
渠道类型	N
包装长度	10.67(Max)
引脚数	3
包装高度	9.65(Max)
连续漏极电流	18
标签	Tab
铅形状	Through Hole
FET特点	Standard
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	18A (Tc)
的Vgs（th ）（）@ Id	4V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	200V
供应商设备封装	TO-262
开态Rds（）@ Id ，V GS	150 mOhm @ 11A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 -	150W
输入电容（Ciss ） @ VDS	1160pF @ 25V
其他名称	*IRF640NLPBF
闸电荷（Qg ） @ VGS	67nC @ 10V
封装/外壳	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量	50
配置	Single
晶体管极性	N-Channel
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	18 A
正向跨导 - 闵	6.8 S
安装风格	Through Hole
RDS（ON）	150 mOhms
功率耗散	150 W
低工作温度	- 55 C
封装/外壳	TO-262
栅极电荷Qg	44.7 nC
上升时间	19 ns
高工作温度	+ 175 C
漏源击穿电压	200 V
RoHS	RoHS Compliant
下降时间	5.5 ns
Continuous Drain Current Id	:18A
Drain Source Voltage Vds	:200V
On Resistance Rds(on)	:150mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs	:10V
Threshold Voltage Vgs	:4V
No. of Pins	:3
Weight (kg)	0.00181
Tariff No.	85412900
ChannelType	N
Current,Drain	18A
GateCharge,Total	67nC
PackageType	TO-262
极化方式	N-Channel
PowerDissipation	150W
Resistance,DraintoSourceOn	0.15Ohm
Resistance,Thermal,JunctiontoCase	1°C/W
Temperature,Operating,Maximum	+175°C
Temperature,Operating,Minimum	-55°C
Time,Turn-OffDelay	23ns
Time,Turn-OnDelay	10ns
Transconductance,Forward	6.8S
Voltage,Breakdown,DraintoSource	200V
Voltage,DraintoSource	200V
Voltage,Forward,Diode	1.3V
Voltage,GatetoSource	±20V
案例	TO262
Gate charge	44.7nC
Transistor kind	HEXFET
Transistor type	N-MOSFET
功率	150W
Drain-source voltage	200V
极化	unipolar
Drain current	18A
Multiplicity	1
Gross weight	2.51 g
gate-source voltage	20V
On-state resistance	150mΩ
Collective package [pcs]	200
Junction-to-case thermal resistance	1K/W
spg	200
associated	80-4-5