【D44VH10G 只做原装 TO-220 实物拍摄深圳现货供应】价格_批发_厂家_参数_图片_集成电路(IC)

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D44VH10G 只做原装 TO-220 实物拍摄深圳现货供应

¥3.50

10-999PCS

¥3.20

≥1000PCS

产品规格

封装: TO-220

批号: 环保

深圳市铭顺信电子有限公司

采通通 7 年资质认证实名企业

18年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

综合评分

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图文详情

产品属性

标准包装	50
晶体管类型	NPN
- 集电极电流（Ic）（）	15A
电压 - 集电极发射极击穿（）	80V
Vce饱和（）@ IB，IC	400mV @ 400mA, 8A
电流 - 集电极截止（）	-
直流电流增益（HFE）（小值）@ IC，VCE	20 @ 4A, 1V
功率 -	83W
频率转换	50MHz
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220AB
包装材料	Tube
包装	3TO-220AB
类型	NPN
引脚数	3
集电极发射极电压	80 V
集电极直流电流	15 A
小直流电流增益	35@2A@1V\|20@4A@1V
工作频率	50(Typ) MHz
集电极发射极饱和电压	0.4@0.4A@8A\|0.8@3A@15A V
工作温度	-55 to 150 °C
功率耗散	83000 mW
安装	Through Hole
标准包装	Rail / Tube
集电极直流电流	15
欧盟RoHS指令	Compliant
高工作温度	150
标准包装名称	TO-220
低工作温度	-55
基地发射极电压	7
Maximum Transition Frequency	50(Typ)
封装	Rail
每个芯片的元件数	1
功率耗散	83000
供应商封装形式	TO-220AB
集电极发射极电压	80
铅形状	Through Hole
电流 - 集电极（ Ic）（）	15A
晶体管类型	NPN
安装类型	Through Hole
频率 - 转换	50MHz
下的Vce饱和度（） Ib，Ic条件	400mV @ 400mA, 8A
电压 - 集电极发射极击穿（）	80V
供应商设备封装	TO-220AB
功率 -	83W
封装/外壳	TO-220-3
直流电流增益（ hFE）（小值） Ic，Vce时	20 @ 4A, 1V
其他名称	D44VH10GOS
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
类别	Bipolar Power
配置	Dual Collector, Single
外形尺寸	10.28 x 4.82 x 15.75mm
身高	15.75mm
长度	10.28mm
的基射极饱和电压	1.2 V
基地发射极电压	7 V
高工作温度	+150 °C
低工作温度	-55 °C
包装类型	TO-220AB
宽度	4.82mm
工厂包装数量	50
集电极 - 发射极饱和电压	0.8 V
产品种类	Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性	NPN
发射极 - 基极电压VEBO	7 V
直流集电极/增益hfe 小值	35
增益带宽产品fT	50 MHz
集电极 - 发射极电压VCEO	80 V
安装风格	Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO	80 V
RoHS	RoHS Compliant
连续集电极电流	15 A
Collector Emitter Voltage V(br)ceo	:80V
Transition Frequency ft	:50MHz
功耗	:83W
DC Collector Current	:15A
DC Current Gain hFE	:35
Operating Temperature Min	:-55°C
Operating Temperature Max	:150°C
Transistor Case Style	:TO-220AB
No. of Pins	:3
MSL	:-
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
Collector Emitter Voltage Vces	:400mV
Current Ic Continuous a Max	:15A
Gain Bandwidth ft Typ	:50MHz
Hfe Min	:20
工作温度范围	:-55°C to +150°C
端接类型	:Through Hole
Weight (kg)	0.12
Tariff No.	85412900
Current,Collector	15A
Current,Gain	20
频率	50MHz
PackageType	TO-220AB
极性	NPN
PowerDissipation	83W
PrimaryType	Si
Resistance,Thermal,JunctiontoCase	1.5°C/W
Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter	80V
Voltage,CollectortoEmitter	80V
Voltage,CollectortoEmitter,Saturation	0.8V
Voltage,EmittertoBase	7V
案例	TO220
Transistor type	NPN
功率	83W
极化	bipolar
Multiplicity	1
Collector-emitter voltage	100V
Gross weight	2.72 g
Collector current	15A
Collective package [pcs]	250
spg	250