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产品规格
可售数量： 5000PCS
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 600V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 11A |
| Rds（ ）@ ID，VGS | 450 mOhm @ 5.5A, 10V |
| VGS（TH）（ ）@ Id | 5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 40nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 900pF @ 25V |
| 功率 - | 160W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3D2PAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源电压 | 600 V |
| 连续漏极电流 | 11 A |
| RDS -于 | 450@10V mOhm |
| 门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 20 ns |
| 典型上升时间 | 16 ns |
| 典型下降时间 | 15 ns |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 门源电压 | ±30 |
| 包装宽度 | 9.35(Max) |
| PCB | 2 |
| 功率耗散 | 160000 |
| 漏源电压 | 600 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 漏源电阻 | 450@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 低工作温度 | -65 |
| 供应商封装形式 | D2PAK |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 10.4(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 4.6(Max) |
| 连续漏极电流 | 11 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| P（ TOT ） | 160W |
| 匹配代码 | STB11NM60FDT4 |
| R（ THJC ） | 0.78K/W |
| LogicLevel | NO |
| 单位包 | 1000 |
| 标准的提前期 | 14 weeks |
| 小起订量 | 1000 |
| Q（克） | 40nC |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 汽车 | NO |
| 我（D ） | 11A |
| V（ DS ） | 600V |
| 技术 | FDmesh |
| 的RDS（on ） at10V | 0.45Ohm |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 11A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （ ）@ Id | 5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 开态Rds（ ）@ Id ，V GS | 450 mOhm @ 5.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - | 160W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 900pF @ 25V |
| 其他名称 | 497-3511-2 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 40nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 连续漏极电流 | 11 A |
| 正向跨导 - 闵 | 5.2 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 450 mOhms |
| 功率耗散 | 160 W |
| 低工作温度 | - 65 C |
| 上升时间 | 16 ns |
| 高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 15 ns |
| 栅源电压（ 值） | �30 V |
| 漏源导通电阻 | 0.45 ohm |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 包装类型 | D2PAK |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 600 V |
| 弧度硬化 | No |
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集成电路 IC芯片 二三极管 光耦 继电器 电源模块 IGBT 可控硅
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源自：深圳市铭顺信电子有限公司
官网：www.msxic.cn
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