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产品规格
可售数量： 2500个
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 900V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 5A |
| Rds（ ）@ ID，VGS | 2.5 Ohm @ 3A, 10V |
| VGS（TH）（ ）@ Id | 4V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 45nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1200pF @ 25V |
| 功率 - | 150W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 供应商器件封装 | TO-3P(N) |
| 包装材料 | Tube |
| 门源电压 | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
| 高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | TO-3PN |
| 低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 漏源电阻 | 2500@10V |
| 漏源电压 | 900 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-3PN |
| 功率耗散 | 150000 |
| 连续漏极电流 | 5 |
| 引脚数 | 3 |
电子元器件专业配套 配套范围内：
集成电路 IC芯片 二三极管 光耦 继电器 电源模块 IGBT 可控硅
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源自：深圳市铭顺信电子有限公司
官网：www.msxic.cn
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